VO_2のESR (II) : 半導体(レゾナンス)
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
- 社団法人日本物理学会の論文
- 1966-03-31
著者
関連論文
- 分布帰還形半導体レーザ
- 微細構造を持つ埋込みヘテロ・エピタキシと半導体レ-ザへの応用(実験室)
- 分布帰還形半導体レ-ザ---光ICへの集積化を可能にする
- 回折格子作製とエッチング (光ICにおけるエッチング技術(技術ノ-ト))
- 分布帰還形光共振器 (レ-ザ-共振器(技術ノ-ト))
- 分布帰還形GaAsレ-ザ
- 18a-B-8 GaAs_P_のTunneling-Assisted Visible Radiation
- 18a-B-7 GaAsP_のInjection Luminescence
- 12p-K-9 VO_2の金属半導体転移の機構と不純物効果
- VO_2について : 磁気共鳴シンポジウム : 動き易い電子をもった物質
- VO_2結晶中のV^のNMR shift : 半導体(レゾナンス)
- VO_2のESR (II) : 半導体(レゾナンス)
- VO_2単結晶のNMR : 半導体(レゾナンス)
- VO_2のNMRIII : 半導体 : 不純物伝導
- VO_2のESR : 半導体 : 不純物伝導
- 5a-F-10 VO_2粉末結晶のNMR (II)
- 5a-F-9 VO_2粉末結晶のNMR I
- Gd_2(MoO_4)_3単結晶の屈折率の測定 : 光
- フォトルミネセンスによるシリコン中の不純物対の研究
- 2a GE-2 シリコン中の不純物対に束縛された励起子の発光
- 6a-B-7 n型反転層伝導電子の低温における局在化(II)
- 6a-K-11 La_2O_2S単結晶中にドープされた希土類のESR(II) : Tb^,Pr^
- 30p-S-8 La_2O_2S単結晶中にドープされた希土類のESR(I)La_2O_2S:Gd^
- 二酸化バナジウムの相変化とそれに伴う諸性質
- ZnS A-Centerのg値について II. : 半導体(化合物)
- ZnS A-CENTERのg-値について I. : 半導体(化合物)
- Siの伝導電子の不純物散乱に依るrelaxation(半導体(スピンレゾナンス))
- 4a-L-6 Ge及びSiのdonor stateのionization energyのchemical shift
- ハロ燐酸カルシウム蛍光体結晶中のMn^のエネルギー準位(II) : 光物性
- 強誘電強弾性体Gd_2 (MoO_4)_3 III. 結晶解析 : 誘電体
- 1p-GD-2 Gd_2(MoO_4)_3の分域構造と相境界
- 5a-L-10 Improper ferroelectricsの相転移 IV. : GMOの光学的性質
- Nd_xY_P_5O_結晶に観察されるエッチトンネル : 水熱法とフラックス法
- 強誘電強弾性体Gd_2 (MoO_4)_3 II, 結晶成長 : 誘電体
- 習うよりは慣れよ
- 13a-K-16 n-SiのESRにおけるDyson効果
- ZnS-(Al,Ga,In)蛍光体のルミネッセンス(光物性)
- Hexagonal ZnS蛍光体の発光中心のESR(光物性)
- 6a-B-3 自己付活ZnS單結晶のESR
- Si粉末の表面の磁気共鳴に及ぼす熱処理の効果 : 磁気共鳴
- 微細構造を持つ埋込みヘテロ・エピタキシと半導体レーザへの応用
- 3a-G-8 VO_2の相転移の観察II
- 溶融法によるZnSおよびCdS単結晶 : イオン結晶・光物性
- VO_2の結晶成長および結晶変態 : 半導体 : 不純物伝導
- 6p-G-4 ハロ燐酸カルシウム中のMn^のエネルギー準位
- 9p-P-10 三回対称の結晶場のMn^のエネルギー準位
- タイトル無し