ZnS-(Al,Ga,In)蛍光体のルミネッセンス(光物性)
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
- 社団法人日本物理学会の論文
- 1963-10-13
著者
関連論文
- 2a-C-8 ZnTeの熱発光と励起子
- 12p-K-9 VO_2の金属半導体転移の機構と不純物効果
- VO_2について : 磁気共鳴シンポジウム : 動き易い電子をもった物質
- VO_2結晶中のV^のNMR shift : 半導体(レゾナンス)
- VO_2のESR (II) : 半導体(レゾナンス)
- VO_2単結晶のNMR : 半導体(レゾナンス)
- VO_2のNMRIII : 半導体 : 不純物伝導
- VO_2のESR : 半導体 : 不純物伝導
- 5a-F-10 VO_2粉末結晶のNMR (II)
- 5a-F-9 VO_2粉末結晶のNMR I
- ZnS A-Centerのg値について II. : 半導体(化合物)
- ZnS A-CENTERのg-値について I. : 半導体(化合物)
- 30p-S-7 YOnF_ : Yb^,Er^の赤外可視変換作用
- 4a-TB-4 Y_2O_2S中の希土類のトラップ作用
- Y_2O_2S中の微量希土類イオンのルミネッセンス : イオン結晶・光物性
- 3p-L-2 Y_2O_2S:Eu^のルミネッセンス・スペクトル中の近接イオン対によるサテライト
- 習うよりは慣れよ
- 13a-K-16 n-SiのESRにおけるDyson効果
- ZnS-(Al,Ga,In)蛍光体のルミネッセンス(光物性)
- Hexagonal ZnS蛍光体の発光中心のESR(光物性)
- 6a-B-3 自己付活ZnS單結晶のESR
- Si粉末の表面の磁気共鳴に及ぼす熱処理の効果 : 磁気共鳴
- ZnS螢光体のdeep trapのESR : 光物性
- ZnS 螢光体における発光中心のESR : 光物性シンポジウム : II〜VI 化合物の光物性
- 4a-H-6 Effect of Oxygn upon the Luminesant Center in Self-activated ZnS Phosphor
- 2a-C-9 ZnTeのedge emissionと熱発光
- ZnTeのedge emmission : イオン結晶・光物性
- ZnTe単結晶の電子線刺激による発光 : 光物性・イオン結晶
- ZnTe単結晶のphotoluminescence : 光物性・イオン結晶
- ZnTe単結晶のルミネッセンス(II) : イオン結晶・光物性
- ZnTe単結晶のルミネッセンス(I) : イオン結晶・光物性