30p-S-8 La_2O_2S単結晶中にドープされた希土類のESR(I)La_2O_2S:Gd^<3+>
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
- 社団法人日本物理学会の論文
- 1971-09-30
著者
関連論文
- 分布帰還形半導体レーザ
- 分布帰還形半導体レ-ザ---光ICへの集積化を可能にする
- 回折格子作製とエッチング (光ICにおけるエッチング技術(技術ノ-ト))
- 分布帰還形光共振器 (レ-ザ-共振器(技術ノ-ト))
- 分布帰還形GaAsレ-ザ
- 12p-K-9 VO_2の金属半導体転移の機構と不純物効果
- VO_2について : 磁気共鳴シンポジウム : 動き易い電子をもった物質
- VO_2結晶中のV^のNMR shift : 半導体(レゾナンス)
- VO_2のESR (II) : 半導体(レゾナンス)
- VO_2単結晶のNMR : 半導体(レゾナンス)
- VO_2のNMRIII : 半導体 : 不純物伝導
- VO_2のESR : 半導体 : 不純物伝導
- 5a-F-10 VO_2粉末結晶のNMR (II)
- 5a-F-9 VO_2粉末結晶のNMR I
- フォトルミネセンスによるシリコン中の不純物対の研究
- 2a GE-2 シリコン中の不純物対に束縛された励起子の発光
- 6a-B-7 n型反転層伝導電子の低温における局在化(II)
- 6a-K-11 La_2O_2S単結晶中にドープされた希土類のESR(II) : Tb^,Pr^
- 30p-S-8 La_2O_2S単結晶中にドープされた希土類のESR(I)La_2O_2S:Gd^
- 二酸化バナジウムの相変化とそれに伴う諸性質
- ZnS A-Centerのg値について II. : 半導体(化合物)
- ZnS A-CENTERのg-値について I. : 半導体(化合物)
- Siの伝導電子の不純物散乱に依るrelaxation(半導体(スピンレゾナンス))
- 4a-L-6 Ge及びSiのdonor stateのionization energyのchemical shift
- ハロ燐酸カルシウム蛍光体結晶中のMn^のエネルギー準位(II) : 光物性
- 微細構造を持つ埋込みヘテロ・エピタキシと半導体レーザへの応用
- 2a-T-11 K_2SeO_4の低温相の結晶構造
- 6p-G-4 ハロ燐酸カルシウム中のMn^のエネルギー準位
- 9p-P-10 三回対称の結晶場のMn^のエネルギー準位