5a-L-1 CompensationしたP-doped SiliconのESR

スポンサーリンク

概要

• 論文の詳細を見る
• 社団法人日本物理学会の論文
• 1962-04-04

著者

• 井郷 健夫

  通研

関連論文

• 18F-1 InSbのバンド構造(III)
• 10B9 n-型Si,Ge中における不純物単位
• 18G-10 InSbのエネルギー帶構造(II)
• 高温熱処理したSiの電子スピン共鳴 : 半導体
• Heavily Sb-doped SiのESR : 補償の効果 : 半導体 : マイクロ波
• 7p-A-11 CompensateしたP-Doped Siの電子スピン緩和
• 5a-L-1 CompensationしたP-doped SiliconのESR
• 磁気共鳴におけるLinear Stark Effect
• 12a-M-9 FeをdopeしたsiliconのESR

スポンサーリンク