10B9 n-型Si,Ge中における不純物単位
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
- 社団法人日本物理学会の論文
- 1957-04-09
著者
関連論文
- Reduced TiO_2とESR
- ルチル中のV^のEPR : 磁気共鳴
- 還元されたルチルのEPR : 磁気共鳴
- 4,000^M帯におけるBaTiO_3の誘電率 : 誘電体
- 11p-M-4 マイクロ波によるNiOの電気的性質
- 18F-1 InSbのバンド構造(III)
- 10B10 NiOの電気傳導度 (II)
- 10B9 n-型Si,Ge中における不純物単位
- NiOの電気伝導(I) : 半導体(実験)
- 17C5. Siの電子易動度について
- 15C19. MgO單結晶の電子捕獲準位について
- 18G-10 InSbのエネルギー帶構造(II)
- 高温熱処理したSiの電子スピン共鳴 : 半導体
- Heavily Sb-doped SiのESR : 補償の効果 : 半導体 : マイクロ波
- 7p-A-11 CompensateしたP-Doped Siの電子スピン緩和
- 5a-L-1 CompensationしたP-doped SiliconのESR
- 磁気共鳴におけるLinear Stark Effect
- 12a-M-9 FeをdopeしたsiliconのESR