18G-10 InSbのエネルギー帶構造(II)
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
- 社団法人日本物理学会の論文
- 1956-07-16
著者
関連論文
- 18F-1 InSbのバンド構造(III)
- 10B9 n-型Si,Ge中における不純物単位
- 19L-16 遷移金属酸化物の電気伝導
- 31E3 Photo-Induced Hall Effect in MgO Crystal
- 19F-9 NiOの電氣的性質III
- 7p-F-10 ルチル中の稀土類のEPR:Gd^
- 18G-10 InSbのエネルギー帶構造(II)
- MgOの物性論(二価酸化物の物性論)
- 31E4 電子衝〓によるMgOの電気伝導度について(I)
- 高温熱処理したSiの電子スピン共鳴 : 半導体
- Heavily Sb-doped SiのESR : 補償の効果 : 半導体 : マイクロ波
- 7p-A-11 CompensateしたP-Doped Siの電子スピン緩和
- 5a-L-1 CompensationしたP-doped SiliconのESR
- 磁気共鳴におけるLinear Stark Effect
- 12a-M-9 FeをdopeしたsiliconのESR
- 12E-6 InSbのEnergy Band Structure(I)(半導体)