19C16. 液体ヘリウム用恒圧計
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
- 社団法人日本物理学会の論文
- 1953-10-16
著者
関連論文
- 6p-N-12 極低温固体メーザーの実験I
- 3p-C-4 GaSe,GaTeの吸収端における圧力効果
- Cd_3As_2の二三の性質 : 半導体(午前:化合物,午後:p-n接合)
- 9p-B-1 Pbの超伝導状態における熱伝導度の測定
- 17D-9 極低温極強磁場に於ける蒼鉛の電流磁気効果
- 4. テルル膜の電氣傳導度とホール効果
- 12p-K-7 Cd_3As_2のド・ハース・ファン・アルフェン効果
- 6p-B-6 Cu中に分散しているF.C.C.Feの電子比熱の研究
- Nb-Mo合金の比熱 : 低温(稀薄合金の超伝導)
- 17D-12 Cu-Mn dilute alloysの帶磁率
- 10B16 極低温度におけるテルルの帯磁率(I)
- 6C7 Alのde Haas-van Alphen効果
- 17A-12 亜鉛におけるde Haas van Alphen 効果
- 6a-H-3 La及びYの熱伝導度
- 超電導ランタンの熱伝導度 : 低温
- 19C16. 液体ヘリウム用恒圧計
- 16E12 テルル單結晶の帯磁率の異方性
- 5a-D-13 (Ni_xFe_)_3Mnの低温電子比熱
- 稀薄合金の電気的性質II : 低温・金属
- Dilute Alloysの2,3の電気的性貭 : 低温・金属
- 20L-8 極低温におけるGeのマイクロ波誘電率の測定(II)
- GaSeの遠赤外透過測定 : 光物性・イオン結晶
- 17B1 極低温度用二次温度計としての炭素抵抗率(第二報)
- (HgTe)_1-x(CdTe)_xの赤外吸収測定(II) : 半導体(午前:化合物,午後:p-n接合)
- 8p-F-5 HgTeの赤外吸収測定
- Hg_Cd_xTeの電気的性質 : 半導体(化合物)
- 6a-L-2 GaSeにおける赤外吸収の温度変化
- 超電導体インジウムにおける不純物効果 : VIII. 低温
- Sbの超音波吸収におけるQuantum Oscillation : 音波物性シンポジウム
- 13p-L-4 砒素の超音波共鳴吸収
- 6p-L-2 Nbの熱伝導I
- 5a-D-9 Sbの超音波吸収における特異な共鳴吸収II
- 3p-C-5 GaSe型層状半導体の多重フォノン吸収
- 強磁場におけるSbの超音波吸収I : 低温・金属
- Bi(Mn)合金のSchubnikov-de Haas効果 : 低温・金属
- 19G-10 P型InSbの電気的性質
- 西欧と米国の強磁場発生設備について
- 11B14 極強磁場における半導體
- 2FI 極低温度に於ける半導体の電気的性質(招待講演)
- 3.II.20 超電導体における遷移機構の研究(第一報)(低温)
- 13F-5 低温度における鎖状結晶の比熱(II)(金属・塑性)
- 30.I.15 極低温度にお於けるテルルの電気的性質(半導体)
- 3.II.19 極低温度用二次温度計としての炭素抵抗体(低温)
- 30III1 低温度に於けるテルルの帶磁率(磁気の部)