6C7 Alのde Haas-van Alphen効果
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
- 社団法人日本物理学会の論文
- 1957-04-06
著者
関連論文
- 6p-N-12 極低温固体メーザーの実験I
- 19G-6 ゲルマニウムのサイクロトロン共鳴吸收(I)
- 3p-C-4 GaSe,GaTeの吸収端における圧力効果
- Cd_3As_2の二三の性質 : 半導体(午前:化合物,午後:p-n接合)
- PbSeのFaraday効果 : 半導体 : 測定法
- 赤外領域におけるPbTeのFree Carrier Absorption及びFaraday Effect : 半導体(化合物)
- 8p-A-6 II-V族金属間化合物の電気的性質
- 9p-B-1 Pbの超伝導状態における熱伝導度の測定
- 6p-L-4 Hg Te_Sexの電気的性質(II)
- 13p-A-7 Mg_2Sn_Pb_xの電気的性貭
- 13p-A-6 HgTe_Se_xの電気的性質
- ドハース・ファンアルフェン効果に対する格子振動の影響 : VIII. 低温
- InSb_Bi_xの電気的性質 : 半導体
- 2a-N-2 Sb単結晶の電流磁気効果
- 8p-E-6 極低温強磁場下に於けるアンチモン単結晶の電流磁気効果
- 極低温強磁場下に於ける蒼鉛単結晶の電流磁場効果の測定II : XXVI. 低温
- 17D-9 極低温極強磁場に於ける蒼鉛の電流磁気効果
- 4. テルル膜の電氣傳導度とホール効果
- 4p-C-2 InBi単結晶の電流磁気効果
- 蒼鉛単結晶の電流磁気効果の異方性 : 半導体
- 12p-K-7 Cd_3As_2のド・ハース・ファン・アルフェン効果
- Sn,Sb,As,Teを添加したBi合金のShubnikov de Haas効果 : 金属・低温
- InSbのMagneto-Plasma Reflection : 半導体(光学特性)
- 8p-F-6 Siの間接遷移光学吸收端
- 3p-F-4 Nb-Mo合金の超伝導
- 14a-S-6 銅系稀薄合金の比熱
- 6p-B-6 Cu中に分散しているF.C.C.Feの電子比熱の研究
- Nb-Mo合金のVortex Motion II. Hall Effect : 低温
- Nb-Mo合金のVortex Motion I. Flow Resistivity : 低温
- Nb_Mo_合金の比熱 : 低温
- Nb-Mo合金の比熱 : 低温(稀薄合金の超伝導)
- Sb-Asのド・ハース・ファン・アルフェン効果 : 低温
- Bi単結晶のシュブニコフ ド ハース効果に対する一軸制圧力の影響 : 低温
- タリウムの電子構造(低温)
- 4p-C-1 InBiのde Haas-van Alphen効果
- 13a-K-6 インジウムのFermi面
- 8p-E-5 Mgのde Haas-van Alphen効果
- 17D-12 Cu-Mn dilute alloysの帶磁率
- 10B16 極低温度におけるテルルの帯磁率(I)
- 6C7 Alのde Haas-van Alphen効果
- 17A-12 亜鉛におけるde Haas van Alphen 効果
- Cadmiumのde Haas-van Alphen効果 : 低温実験
- 超電導薄膜の自己磁場によるヒテリシス : 低温実験
- 超電導薄膜の外部磁場によるヒステリシス : 低温実験
- 6a-H-3 La及びYの熱伝導度
- 超電導ランタンの熱伝導度 : 低温
- 19C16. 液体ヘリウム用恒圧計
- 5a-D-13 (Ni_xFe_)_3Mnの低温電子比熱
- 稀薄合金の電気的性質II : 低温・金属
- Dilute Alloysの2,3の電気的性貭 : 低温・金属
- 8a-M-4 マイクロ波によるホール効果の測定法
- ゲルマニウムのマイクロ波誘電率及び電導度の温度変化 : XX. 半導体
- 20L-8 極低温におけるGeのマイクロ波誘電率の測定(II)
- GaSeの遠赤外透過測定 : 光物性・イオン結晶
- 13a-K-1 Cu-Ni合金のホール効果及び磁気抵抗
- 超電導体インジウムにおける不純物効果 : 低温実験
- 17B3 超電導遷移機構の研究(第二報)
- 17B2 超電導体に於ける常磁性効果(第1報)
- 17B1 極低温度用二次温度計としての炭素抵抗率(第二報)
- (HgTe)_1-x(CdTe)_xの赤外吸収測定(II) : 半導体(午前:化合物,午後:p-n接合)
- 8p-F-5 HgTeの赤外吸収測定
- Hg_Cd_xTeの電気的性質 : 半導体(化合物)
- 6a-L-2 GaSeにおける赤外吸収の温度変化
- 超電導体インジウムにおける不純物効果 : VIII. 低温
- Sbの超音波吸収におけるQuantum Oscillation : 音波物性シンポジウム
- 5p-H-11 砒素の超音波共鳴吸収 II
- 3p-F-6 Nbの熱伝導III:磁場変化
- 14p-S-9 Nbの熱伝導II
- 14a-S-4 CuMn合金のトンネル効果III
- 13p-L-4 砒素の超音波共鳴吸収
- 6p-L-2 Nbの熱伝導I
- 5a-D-9 Sbの超音波吸収における特異な共鳴吸収II
- 3p-C-5 GaSe型層状半導体の多重フォノン吸収
- Sbの超音波吸收における特異な共鳴吸收 : 金属・低温
- 強磁場におけるSbの超音波吸収I : 低温・金属
- Bi(Mn)合金のSchubnikov-de Haas効果 : 低温・金属
- In-Pb合金の第II種超電導
- lnBi単結晶の電流磁気効果II : 低温
- 超電導Nb-Zr合金線の磁束跳躍現象 : 低温
- Zn系稀薄合金の超電導遷移温度 : 低温
- 19G-10 P型InSbの電気的性質
- 4p-C-4 Cu-Al合金の熱的電気的性質II.
- 13a-K-2 Cu-Al合金の熱的電気的性貭
- 西欧と米国の強磁場発生設備について
- 11B14 極強磁場における半導體
- 19G-9 極低温極強磁場におけるInSb及びGeの磁気抵抗効果(II)
- 極低温極強磁場におけるゲルマニウムの電気抵抗効果(II) : 半導体(実験)
- 2FI 極低温度に於ける半導体の電気的性質(招待講演)
- 3.II.20 超電導体における遷移機構の研究(第一報)(低温)
- 13F-5 低温度における鎖状結晶の比熱(II)(金属・塑性)
- 30.I.15 極低温度にお於けるテルルの電気的性質(半導体)
- 3.II.19 極低温度用二次温度計としての炭素抵抗体(低温)
- 30III1 低温度に於けるテルルの帶磁率(磁気の部)