19G-16 Ge結晶の粒界及び表面での再結合
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
- 社団法人日本物理学会の論文
- 1956-07-16
著者
関連論文
- 11a-A-7 Si中のTrap III
- Si中のTrap II : 半導体
- 4p-L-7 Si中のTrap
- キャリャー寿命に対する外光の影響 : XX. 半導体
- 16F-14 光パルスによる半導体の研究
- 半導体の転位の研究
- 18K-8 Ge小角度結晶境界の電子現象 : 主として理論
- 19G-16 Ge結晶の粒界及び表面での再結合
- Carrier lifetimeの温度依存性 : 半導体(実験)
- Geのcarrier lifetimeの測定 : 半導体(実験)
- 金屬間化合物半導体
- 12. 高温に於けるアランダムの電氣絶縁性に就いて
- Pb S光導電セルによる音響再生
- PbS光導電セルの諸性質
- 高温に於けるアルミナの絶縁破壞
- 半導体実験