半導体の転位の研究
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
- 社団法人日本物理学会の論文
- 1957-12-05
著者
関連論文
- 16G-2 アルカリハライド中の水素I.
- 11a-A-7 Si中のTrap III
- Si中のTrap II : 半導体
- 4p-L-7 Si中のTrap
- キャリャー寿命に対する外光の影響 : XX. 半導体
- 16F-14 光パルスによる半導体の研究
- 半導体の転位の研究
- 18K-8 Ge小角度結晶境界の電子現象 : 主として理論
- 19G-16 Ge結晶の粒界及び表面での再結合
- Carrier lifetimeの温度依存性 : 半導体(実験)
- Geのcarrier lifetimeの測定 : 半導体(実験)
- 金屬間化合物半導体
- 12. 高温に於けるアランダムの電氣絶縁性に就いて
- 13p-P-2 シリコンの格子欠陥
- 10B14 静磁場をかけた半導体の電子分布
- 2F4 P型Geの易動度について
- 複合碍管表面の付着汚損物による光遮蔽効果
- Pb S光導電セルによる音響再生
- PbS光導電セルの諸性質
- 高温に於けるアルミナの絶縁破壞
- イノベーションと情報活動のシミュレーション : 第19回ドクメンテーション・シンポジウム発表内容
- Ge單結晶の表面観察 : 半導体(実験)
- 半導体実験
- 14F-6 Ge結晶のdislocationについて(転移と腐食孔のシンポジウム)