30pYG-7 水素による金属中格子欠陥の物性制御;第一原理計算から
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
- 社団法人日本物理学会の論文
- 2003-03-06
著者
関連論文
- 21aHT-1 共鳴内殻励起軟X線照射による単層カーボンナノチューブへの欠陥導入の機構について(21aHT 格子欠陥・ナノ構造(炭素系物質),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))
- 20pGL-4 TiO_2 anatase/水界面の水分子吸着に関する第一原理分子動力学シミュレーション(20pGL 表面ダイナミクス・水素ダイナミクス,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 23aGP-1 BigDFTを用いた大規模第一原理計算による表面連鎖重合反応メカニズムの考察(23aGP 表面界面構造,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 30aRD-11 第一原理MDによるダイヤモンド電極/水溶液界面の構造および電子状態(30aRD 表面界面電子物性,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 26pPSB-40 両面スラブモデルによる固液界面酸化還元反応の第一原理解析(領域9ポスターセッション,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 結晶転位の第一原理電子論
- 19pPSB-34 励起状態グラファイトのE_フォノンに関する理論的研究(ポスターセッション,領域5,光物性)
- 21pWA-2 DFT/TDDFT計算による励起エネルギー'過大'評価問題(電子系,領域11,統計力学,物性基礎論,応用数学,力学,流体物理)
- 30pVD-5 ナノダイヤモンドに埋め込まれたMnイオンの電子状態(30pVD X線・軟X線発光・新光源,領域5(光物性))
- 28aPS-20 TDDFTによるspin-polarized系の励起状態ダイナミクス計算(領域11ポスターセッション,領域11,統計力学,物性基礎論,応用数学,力学,流体物理)
- 28aRC-8 TDDFTによる非断熱結合係数の全電子計算手法(28aRC 電子系(密度汎関数法),領域11(統計力学,物性基礎論,応用数学,力学,流体物理))
- 21pWB-11 三ハロゲン化物イオン溶液に関する第一原理分子動力学シミュレーション(21pWB 溶液・液体,領域12(ソフトマター物理,化学物理,生物物理))
- 30aXH-2 実時間発展TDDFTを用いた分子の光励起状態の電子-核ダイナミクス(30aXH 電子系(密度汎関数法),領域11(統計力学,物性基礎論,応用数学,力学,流体物理))
- 27aYF-2 化学ポテンシャル一定の第一原理MDによる水溶液中の電子移動反応の解析(密度汎関数法,領域11(統計力学,物性基礎論,応用数学,力学,流体物理))
- 第一原理計算による水素脆性現象の解析
- 27pPSA-38 水素終端Si(001)表面における水素原子の反応性散乱過程の量子論(領域9ポスターセッション)(領域9)
- 27pPSA-25 Si系の第一原理/強結合ハイブリッド計算(領域9ポスターセッション)(領域9)
- 30pYG-7 水素による金属中格子欠陥の物性制御;第一原理計算から
- 25aYP-4 第一原理計算から見た鉄中のクラック形成に対する空孔-水素複合体の効果
- 22pYS-11 量子古典融合手法による脆性破壊のシミュレーション
- 24aYL-8 第一原理計算からみたbcc Fe中の原子空孔に対する水素効果
- 24aYL-7 bcc Fe中の格子間水素の量子状態
- 28a-ZA-5 第一原理計算からみたbcc金属中の水素の存在状態
- 化学的ハンダづけ?!--単分子デバイス回路実現に大きな前進
- 21pHA-13 色素増感太陽電池におけるRu(II)ポリピリジル錯体のTiO_2アナターゼ(101)表面吸着構造および励起状態に関する理論的研究(21pHA 表面界面構造(半導体),領域9(表面・界面,結晶成長))
- 22pGQ-14 ダイヤモンド中磁性不純物欠陥の安定性に関するDFTスピン汚染問題(22pGQ 格子欠陥・ナノ構造(半導体・誘電体),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))