31aZP-2 量子ホール効果のブレークダウン臨界電場のサイズ依存性

スポンサーリンク

概要

• 論文の詳細を見る
• 社団法人日本物理学会の論文
• 2003-03-06

著者

• 音 賢一

  阪大院理

• 坪田 泰輔

  阪大院・理

• 坪田 泰輔

  阪大院理

関連論文

• 縦型結合ドット配列中の電子状態
• 30a-Q-9 分散量子ホール状態における電気容量の試料形状依存性
• 30a-Q-9 分数量子ホール状態における電気容量の試料形状依存性
• 8a-N-14 分数量子ホール状態における磁気電気容量
• 20aYH-12 AFMで微細加工した2次元電子系におけるWeiss振動
• 18pYH-2 多重細線ゲートの電気容量測定によるエッジチャネルの空間分布
• 17pYG-10 量子ホール系でのアンチドット超格子の磁気電気容量
• 28pYS-6 2次元電子系の磁気キャパシタンスとテラヘルツ分光
• 27pTC-12 微細ゲートを用いた電気容量測定によるエッジチャネルの空間分布
• 27pTC-11 量子ホール状態における二層二次元電子系の磁気電気容量
• 27pTB-14 縦型二重ドットにおけるドット間結合への光励起効果
• 磁気電子フォーカス効果で見た2次元電子系への面内磁場による影響
• 23pSA-11 二層二次元電子系の磁気電気容量
• 縦型結合ドット配列中の電子状態
• 28pYS-6 2次元電子系の磁気キャパシタンスとテラヘルツ分光
• 28a-ZB-7 線幅に依存しない量子ホール効果のブレークダウン現象
• 28a-ZB-7 線幅に依存しない量子ホール効果のブレークダウン現象
• 28a-T-4 アンチドットを含む二次元電子系での量子ホール効果のブレークダウンとその不安定現象
• 8a-N-7 アンチドット系における量子ホール効果ブレークダウン現象
• 8a-N-7 アンチドット系における量子ホール効果のブレークダウン現象
• 24pL-4 斜め磁場でのWeiss振動
• 26aC-7 逆HEMT2次元電子系におけるフォーカス効果と平行磁場
• 29a-ZB-2 平行磁場下の磁気電子フォーカス効果で見たフェルミ面の異方性
• 29a-ZB-2 平行磁場下の磁気電子フォーカス効果で見たフェルミ面の異方性
• 30p-ZE-8 斜め磁場における2層2次元電子系のサイクロトロン有効質量
• 26a-YG-5 2層2次元電子系におけるサイクロトロン質量の平行磁場依存性
• 26a-YG-5 2層2次元電子系におけるサイクロトロン質量の平行磁場依存性
• 25aK-12 光による縦型二重ドットの閉じ込めポテンシャル変調
• 31aZF-7 シリコンナノ結晶チェーンの電気伝導特性
• 24pL-6 二次元電子系のサイクロトロン共鳴の面内効果
• 23aL-13 エッジ幅の占有数依存性
• 23aL-12 Si-MOSのエッジチャネル
• 磁気電子フォーカス効果で見た2次元電子系への面内磁場による影響
• 26aD-3 GaAs/AlGaAs二重ヘテロ接合上のドット配列の遠赤外磁気光吸収II
• 30p-ZB-3 GaAs/AlGaAs二重ヘテロ接合上のドット配列の遠赤外磁気光吸収
• 25p-YG-2 光励起下でのドット配列のポテンシャル変調
• 25p-YG-2 光励起下でのドット配列のポテンシャル変調
• 31a-Q-12 量子ドット配列の電子系の遠赤外磁気光吸収II
• 31a-Q-12 量子ドット配列中の電子系の遠赤外磁気光吸収II
• 7a-N-8 量子ドット配列中の電子系の遠赤外磁気光吸収
• 7a-N-8 量子ドット配列中の電子系の遠赤外磁気光吸収
• 8a-N-14 分数量子ホール状態における磁気電気容量
• 30p-Q-6 量子ホール効果におけるエッジチャネル間の電気容量
• 30p-Q-6 量子ホール効果におけるエッジチャネル間の電気容量
• 24pD-6 エッジチャネル間の電気容量測定と問題点
• 28a-ZB-4 電気容量法によるエッジチャネルの分離距離測定
• 28a-ZB-4 電気容量法によるエッジチャネルの分離距離測定
• 26p-YG-9 量子ホールプラトーでの異なるエッジチャネル間の電気容量
• 26p-YG-9 量子ホールプラトーでの異なるエッジチャネル間の電気容量
• 28p-R-6 電流を流した状態における量子ホールプラトーでの電気容量
• 28p-R-6 電流を流した状態における量子ホールプラトーでの電気容量
• 7p-N-13 二次元電子系における平行磁場によるフェルミ面の異方性
• 7p-N-13 二次元電子系における平行磁場によるフェルミ面の異方性
• 28a-R-2 磁気電子フォーカス効果と平行磁場
• 28a-R-2 磁気電子フォーカス効果と平行磁場
• 30p-ZB-3 GaAs/AlGaAs二重ヘテロ接合上のドット配列の遠赤外磁気光吸収
• 24pD-9 斜め磁場下の量子ホール状態での電気容量
• 量子ホール効果におけるエッジ状態と電気伝導(量子ホール効果及び関連する物理,研究会報告)
• 量子ホール効果におけるエッジ状態と電気伝導(基研研究会「量子ホール効果及び関連する物理」,研究会報告)
• 平行強磁場下の2次元電子系におけるバリスティック電気伝導
• 分数量子ホール効果におけるエッジチャネル
• 低温・強磁場下の電気容量測定
• 29pYG-1 ブレークダウン電流が線幅に比例しない2次元電子系の活性化エネルギー(量子ホール効果)(領域4)
• 21pTL-7 臨界電流が線幅に比例しない量子ホール効果のブレークダウン
• 31aZP-2 量子ホール効果のブレークダウン臨界電場のサイズ依存性
• 量子ホ-ル効果と磁気電気容量
• 磁気電気容量法でみる量子ホ-ル効果とエッジ状態
• 9aSA-10 二次元電子系サイクロトロン共鳴の面内磁場効果II(整数・分数量子ホール効果,領域4)
• 9aSA-5 サイドゲートの作るエッジチャネルの位置分解測定II(整数・分数量子ホール効果,領域4)
• 9aSA-4 線幅に比例しないブレークダウンを示す2次元電子系の臨界電流のサイドゲート・圧依存性(整数・分数量子ホール効果,領域4)
• 24aSA-9 サイドゲートの作るエッジチャネルの位置分解測定(24aSA 量子ホール効果(ストライプ,エッジ),領域4(半導体,メゾスコピック系・局在分野))
• 24aSA-10 量子ホール効果でのキャパシタンスの線幅依存性(24aSA 量子ホール効果(ストライプ,エッジ),領域4(半導体,メゾスコピック系・局在分野))
• 24aWE-9 二次元電子系サイクロトロン共鳴の面内磁場効果(電子濃度依存性)(24aWE 領域4,領域5合同 超格子,輸送・サイクロトロン共鳴,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在分野))

もっと見る 閉じる

スポンサーリンク