23aYK-8 パラメトリック光子対を用いたbiphoton干渉 II
スポンサーリンク
概要
著者
関連論文
-
20pTD-8 2周期疑似位相整合素子を用いた2光子量子ビートの観測(20pTD 量子エレクトロニクス(量子情報),領域1(原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理))
-
20aHQ-5 薄膜における高温縮退四光波混合の理論解析(20aHQ 超高速現象・量子井戸,領域5(光物性))
-
20pTD-12 群速度整合PPKTPを用いた多光子生成(20pTD 量子エレクトロニクス(量子情報),領域1(原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理))
-
25pZF-9 Ybレーザー励起のパラメトリック下方変換を用いた4光子干渉の観測(量子エレクトロニクス(量子情報),領域1,原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理)
-
21pWA-4 半導体を用いた量子もつれ光子対の生成II : ベルの不等式の破れ(量子エレクトロニクス(量子光学),領域1(原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理))
-
24pYB-6 ラテックス単層膜の偏光透過スペクトルとフォトニック・バンド構造
-
28a-ZE-9 ラテックス配列膜のSNOM像とフォトニックバンド効果
-
26aZF-3 周期分極反転LiNbO_3を用いた1550nm帯光子対のアップコンバージョン検出(量子エレクトロニクス(量子情報・イオントラップ),領域1,原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理)
-
27pSK-3 周期分極反転LiNbO_3を用いた1550nm帯光子の高効率アップコンバージョン(27pSK 量子エレクトロニクス(輻射場の量子情報処理,エンタングルメント),領域1(原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理))
-
26pXQ-1 Faraday microscopy with semimagnetic semiconductor quantum well sensor
-
28pYB-5 第一種超伝導体薄膜の中間状態における磁束模様の解析
-
22pZA-10 周期分極反転LiNbO_3を用いたパラメトリック蛍光のアップコンバージョン(22pZA 量子エレクトロニクス(量子光学・量子情報・量子エレクトロニクス一般),領域1(原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理))
-
22pZA-8 Type-II PPLNを用いた量子もつれ光子対発生(22pZA 量子エレクトロニクス(量子光学・量子情報・量子エレクトロニクス一般),領域1(原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理))
-
24aRH-2 パラメトリック下方変換における空間相関効果を利用した量子もつれ光子対の生成III(量子エレクトロニクス(量子光学,イオン・原子の冷却・トラップ),領域1,原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理)
-
24aRH-3 PPLNを用いた準同軸type-II位相整合による量子もつれ光子対の生成II(量子エレクトロニクス(量子光学,イオン・原子の冷却・トラップ),領域1,原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理)
-
24pRG-2 周期分極反転LiNbO_3を用いたパラメトリック下方変換による1550nm帯光子対の生成(量子エレクトロニクス(量子情報),領域1,原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理)
-
21pXK-7 PPLNを用いた準同軸Type-II位相整合による量子もつれ光子対の生成(量子エレクトロニクス(量子光学),領域1,原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理)
-
26pRB-1 パラメトリック下方変換における空間相関効果を利用した量子もつれ光子対の生成II(26pRB 量子エレクトロニクス(量子光学),領域1(原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理))
-
30pSA-7 パラメトリック下方変換における空間相関効果を利用した量子もつれ光子対の生成(30pSA 量子エレクトロニクス(量子光学),領域1(原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理))
-
20pTD-6 制御された周波数量子もつれ光子対による2光子干渉(20pTD 量子エレクトロニクス(量子情報),領域1(原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理))
-
25aZF-9 制御された周波数量子もつれ状態の生成(量子エレクトロニクス(量子情報),領域1,原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理)
-
30pSK-1 2光子上方変換のマルチモード理論(30pSK 量子エレクトロニクス(量子光学,量子測定,量子エレクトロニクス一般),領域1(原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理))
-
28aSD-3 Ybレーザーによる多光子エンタングル状態の高効率生成(28aSD 量子エレクトロニクス(量子情報・イオントラップ),領域1(原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理))
-
22pZA-9 フォトニック結晶ファイバを用いた相関光子対生成 : 高繰り返し光源による同時計数コントラストの向上(22pZA 量子エレクトロニクス(量子光学・量子情報・量子エレクトロニクス一般),領域1(原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理))
-
22pZA-7 群速度整合PPKTPによる量子もつれ光子対の生成(22pZA 量子エレクトロニクス(量子光学・量子情報・量子エレクトロニクス一般),領域1(原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理))
-
23pQD-7 フォトニック結晶ファイバにおける少数光子誘起非線形位相シフトの測定II(量子エレクトロニクス(量子光学,微小共振器),領域1,原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理)
-
24aRH-1 フォトニック結晶ファイバにおける少数光子誘起非線形位相シフトの測定(量子エレクトロニクス(量子光学,イオン・原子の冷却・トラップ),領域1,原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理)
-
25pRF-8 アップコンバージョンした光子対の非古典的な干渉(25pRF 量子エレクトロニクス(光量子情報処理),領域1(原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理))
-
30p-ZH-2 NaCl単結晶中のCuCl超微粒子の赤外過渡吸収 : 長寿命成分
-
15aXC-6 半導体/誘電体多層膜における擬似位相整合第二高調波発生とフォトニックバンド効果 III(フォトニノク結晶, 領域 1)
-
15aXC-6 半導体/誘電体多層膜における擬似位相整合第二高調波発生とフォトニックバンド効果 III(フォトニック結晶, 領域 5)
-
光子の量子ビットにおける束縛エンタングルメントの生成 と評価
-
周波数相関を制御した光子対源
-
25pRF-9 偏光qubitにおけるSmolin状態の生成(25pRF 量子エレクトロニクス(光量子情報処理),領域1(原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理))
-
24pYB-6 ラテックス単層膜の偏光透過スペクトルとフォトニック・バンド構造
-
3a-KL-2 温度変調法によるGeのΛ点励起子効果
-
3p-KH-16 Cu_2Oの波長変調法による光吸収 III
-
25a-H-9 Cu_2Oの波長変調法による光吸収 II
-
6a-L-3 磁性半導体CdCr_2Se_4の光反射の温度・磁場依存性
-
11p-Q-12 Cu_2Oの波長変調法による光吸収
-
1p-N-4 λ-変調法によるPb_Sn_xTeの光反射
-
18pXG-6 SrTiO_3薄膜におけるテラヘルツ領域誘電応答の広帯域検出と膜厚依存性(領域10,領域5合同 誘電体・誘電体の光制御,領域10,誘導体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性)
-
25pSB-11 (411)A GaAs/AlGaAs量子ドットの顕微発光励起スペクトル
-
量子もつれ光子対 (特集:量子効果を用いた通信・処理技術)
-
22pN-10 半導体/誘電体多層膜の後方疑似位相整合による第二高調波発生
-
22pN-10 半導体/誘電体多層膜の後方疑似位相整合による第二高調波発生
-
27aTA-13 偏光サニャック干渉計を用いたフォトニック結晶ファイバの非線形位相シフト測定(27aTA 量子エレクトロニクス(量子エレクトロニクス一般),領域1(原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理))
-
25aRB-7 偏光サニャック干渉計を用いた光誘起微小位相シフトの測定(25aRB 量子エレクトロニクス(量子エレクトロニクス一般),領域1(原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理))
-
28pRE-4 薄膜における超高速縮退四光波混合の理論解析(28pRE 超高速現象・非線形光学,領域5(光物性))
-
25pRF-7 群速度整合PPKTPを用いた多光子生成II(25pRF 量子エレクトロニクス(光量子情報処理),領域1(原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理))
-
量子もつれ光子対の回折と干渉 (特集:もつれフォトン・生成と光学への応用)
-
量子もつれ光子対と量子干渉実験 (特集 非古典的な光が導く量子情報処理の世界)
-
12pXC-1 励起子分子から生成される量子もつれ光子対の観測(非線形光学・超高速現象, 領域 5)
-
量子もつれ光子対の回折・干渉と量子リソグラフィー
-
29pXG-10 半導体を用いた量子もつれ光子対の生成(量子エレクトロニクス(量子光学))(領域1)
-
21pXB-1 パラメトリック下方変換光子対による量子回折・干渉実験
-
29aYA-12 パラメトリック光子対の二光子干渉における位相測定
-
非線形光学結晶を用いた量子もつれ合い光子対の発生と二光子干渉
-
17pTB-4 パラメトリック光子対を用いたbiphoton干渉 IV
-
28aYN-8 パラメトリック光子対を用いたbiphoton干渉III
-
23aYK-8 パラメトリック光子対を用いたbiphoton干渉 II
-
23pPSB-15 半磁性半導体CdMnTeにおける高密度励起効果V : 混晶によるポテンシャルゆらぎに局在した高密度磁気ポーラロンの高スピン配置(領域5ポスターセッション,領域5,光物性)
-
25pWB-11 半磁性半導体CdMnTeにおける高密度電子・正孔系のダイナミクス(25pWB 励起子・ポラリトン・高密度励起,領域5(光物性))
-
29pXC-2 半磁性半導体CdMnTeにおける高密度励起効果IV(29pXC 領域4,領域5合同 磁性半導体,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
-
20pPSA-52 半磁性半導体CdMnTeにおける高密度励起効果III(領域5ポスターセッション,領域5(光物性))
-
26pYH-6 半磁性半導体CdMnTeにおける高密度励起効果II(高密度励起現象・量子井戸・格子振動・表面,領域5(光物性))
-
13pPSA-77 CdMnTe における高密度励起効果(領域 5)
-
30aPS-32 半導体/誘電体多層膜における擬似位相整合第二高調波発生とフォトニックバンド効果II(領域5ポスターセッション)(領域5)
-
13pPSA-62 CuCl 量子ドットにおける励起子分子の二光子共鳴励起現象 III(領域 5)
-
28aXS-3 CuCl量子ドットにおける励起子分子の二光子共鳴励起現象II(微粒子・ナノ結晶)(領域5)
-
21pWB-2 CuCl 量子ドットにおける励起子分子の二光子共鳴励起現象
-
30pPSA-45 CuCl 量子ドット中に閉じ込められた励起子及び励起子分子の励起状態
-
24aED-8 束縛エンタングルメントの活性化の観測(24aED 量子エレクトロニクス(光量子情報処理),領域1(原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理))
-
-
9aSG-8 CuCl量子ドット中の閉じ込め励起子による赤外誘起吸収とその時間応答(微粒子・ナノ結晶,領域5)
もっと見る
閉じる
スポンサーリンク