31p KA-9 単結晶Cuの角度分解光電子スペクトル
スポンサーリンク
概要
著者
関連論文
-
28pPSB-54 表面修飾金属ナノ粒子の光電子分光 II
-
24aPS-59 半導体基板上に成長させた半金属Biナノ薄膜の電子構造
-
23aW-11 Ag二重量子井戸構造の角度分解光電子分光 III
-
29a-PS-54 Agナノ薄膜の温度依存角度分解光電子分光及びX線回折
-
3a-W-10 PF BL-18Aにおける高分解能角度分解光電子分光
-
31a-H-8 Ce/Pd(100)の光電子分光
-
13a-N-16 黒リンのX線K-吸収スペクトルとK_β-価電子発輝帯
-
13a-N-15 角度分解型UPSによる黒リンの電子構造の研究 II
-
27a-N-7 角度分解UPSによる黒リンのバンド構造の研究
-
31a-S-1 光電子分光及び飛行時間分析型中エネルギーイオン散乱によるCe/Ni(110)表面層の研究
-
31a-H-14 ウラン化合物の内殻線形状の解析
-
31a-H-13 貴金属表面上ウラン薄膜のX線光電子分光
-
28p-H-3 Ce/Cu(110)の光電子分光
-
12a-DC-17 Ce/Ni(110)界面における化合物形成と電子構造
-
12a-DC-16 CeNiAl_4、CeNi_2Al_5の高分解能共鳴光電子分光
-
12a-DC-14 ウラン化合物の共鳴光電子分光
-
12a-DC-13 ウラン化合物の内殻線形状の非対称性と価電子帯スペクトル
-
29p-P-8 Ti酸素化物の光電子分光と逆光電子分光
-
29a-P-12 セリウム化合物(CeSn_3,CeNiSn,CePdSn)のXPS,X-BISスペクトル
-
27p-ZS-9 シンクロトロン放射角度分解光電子分光法によるSi(001)2x1-Na表面の研究
-
31p-YF-5 100-200eVの光電子回折による表面構造解析
-
8p-B-1 Mo(110)清浄表面上のNi吸着相
-
5p-B-6 Ge蒸着Si(001)表面の炭化過程
-
31a-T-9 X線光電子回折法によるSi(001)c(4×4)-C表面の構造解析
-
29p-YC-13 Si単結晶上のウラン薄膜
-
NdB_6(110)清浄表面の光電子分光II
-
NdB_6(110)清浄表面の光電子分光I
-
CeB_6の真空紫外逆光電子分光
-
31p-PSB-27 Ge/Si(001)初期界面における相互拡散
-
三元系セリウム化合物の物質探索と単結晶の純良化
-
28a-W-13 エネルギー分散型VUV逆光電子分光装置
-
28p-YQ-12 単結晶Si_xGe_のXPSスペクトル
-
4a-F-18 ウラン薄膜の光電子分光
-
31p-WC-2 XPDによる表面偏析Geエピタキシャル成長機構の解析 : Sb/Ge/Si(001)
-
13a-PS-5 オ-ジェ電子回折法によるGe吸着Si(001)表面の構造解析
-
25p-Z-2 W(100) c(2×2)-Au, Ag表面のXPD
-
30p-E-2 ウラン化合物の内殻線形状の非対称性
-
30p-E-1 ウラン化合物U_3T_3X_4(T=Ni, Cu;X=Sn, Sb)のXPS, X-BISスペクトル
-
30a-E-3 Ni(110)の角度分解共鳴光電子分光
-
28a-B-11 Ni単結晶の角度分解共鳴光電子分光
-
27a-B-3 ウラン化合物(UB_,U_2PtSi_3)のXPS,X-BISスペクトル
-
25p-PS-48 シンクロトロン放射光電子分光法によるK/Si(001)2x1表面の研究
-
25a-R-5 低温Si(001)表面上のK, Na吸着、被覆率依存性
-
25p-W-7 CeNi、LaNiの高分解能光電子分光
-
Bi_2Sr_2CaCu_2O_8単結晶の角度分解逆光電子分光 : 非占有電子帯構造
-
2p-E-4 低温Si(001)c(4x2)清浄及びNa吸着表面のARUPS
-
30p-D-10 Si(111)√×√-Ag, Ga, Sn表面内殻準位シフト
-
30p-E-18 Rhombohedral AsのSOR角度分解光電子分光
-
6p-J-12 遷移金属ハライドの金属内殻準位のXPSスペクトルの解析
-
27p-G-4 イオン及び電子衝撃によるYb,LuのM-X線
-
14a-G-4 Ho M-X線スペクトルの入射粒子電荷依存性
-
30p-J-5 原子衝突研究のための高分解能結晶分光器
-
29p-U-8 銅単結晶の角度分解光電子スペクトルII
-
29p-U-7 Cu(111)表面電子状態の角度分解光電子分光法による研究
-
3p-KG-8 黒燐型P_As_合金単結晶の角度分解UPS
-
27a-PB-11 Ge/Si(001)初期界面における相互拡散の温度依存性
-
田丸謙二編: 表面の科学; 理論・実験・触媒科学への応用, 学会出版センター, 東京, 1985, xvi+364ページ, 21×15cm, 5,500円.
-
30p-D-12 Si(111)√×√-Biの角度分解UPS
-
30p-D-9 Si(111)√×√-Snの回折XPS
-
30p-E-11 重希土類金属のUV-BIS
-
4p-E-2 S1(111)√×√-Alの角度分解UPS
-
2p-A-3 グラファイトの電子構造:角度分解UPSによる実験的決定II(σ電子領域)
-
2p-A-2 グラファイトの電子構造:角度分解UPSによる実験的決定I(π電子領域)
-
3p-RJ-10 Sm/Ge(111)表面の角度分解UPS,II
-
30a-A-8 YbとSrの初期酸化過程の光電子スペクトル
-
28a-D-9 非占有電子帯構造を研究する角度分解二次電子分光I;グラファイト
-
29a-G-16 C_8M(M=K,Rb,Cs)の角度分解紫外光電子分光:E_F直下の非分散バンドの起源
-
2p-W-2 UGe_z,U_3Ge_4のXPS,X-BISスペクトル
-
31p-P-7 ___-
-
3a-TC-8 Ce金属,CeF_3およびCeO_2の内殻励起スペクトル
-
3a-TC-6 LaとBaの4d内殻軟X線吸収スペクトルにおける吸収線の非対称形状
-
14a-S-13 角度分解紫外光電子分光法によるrhombohedral Asの電子構造の研究I
-
27a-E-9 液体ビスマスの価電子状態
-
4p-A-11 液体ビスマスの価電子帯光電子スペクトル
-
3a-C4-13 逆光電子分光装置の改良 : Si(111)√3x√3-Sn,-Inを例として
-
12a-Y-8 Sn/Ge(111)表面の角度分解UPS
-
30a-TC-7 Bi_2Sr_2Ca_Y_xCu_2O_8の逆光電子分光
-
1p-TA-13 Na, Ga/Si(001) Single-Domain表面のARUPS
-
3a-T-9 Single-Domain O/アルカリ金属/Si(001)2x1 NEA表面のARUPSとXPD
-
3a-C4-9 Single-Domain Si(001)2x1-K表面の角度分解UPS
-
3a-KH-9 SORによる遷移金属塩化物の価電子帯光電子スペクトル
-
3a-KH-8 SORによるCu-ハライドの価電子帯光電子スペクトル
-
3a-KH-7 SORによるEu-カルコゲナイドの価電子帯光電子スペクトル
-
3a-KH-6 SORによるCdSおよびMnPの価電子帯スペクトル
-
3a-KH-5 SOR用光電子エネルギーアナライザーと貴金属価電子帯スペクトル
-
3a-KH-4 SORによるXUV光電子分光学-必要性と測定の原理
-
3a-C4-1 Xe/Cr(110)の角度分解光電子分光
-
30a-BE-4 Si(111)-√×√Agの角度分解UPS
-
1p-A-1 Si(111)1×1表面電子状態のUPS
-
31a-J-3 Si(111)7×7表面の角度分解UPS
-
30p-D-6 角度分解光電子分光法による銅のエネルギー・バンドの決定 : 三角法の適用
-
31p KA-9 単結晶Cuの角度分解光電子スペクトル
-
-
29p-K-6 液体金属の光電子分光(金属)
-
31a-M2-1 Si(111)√3x√3-Sbの角度分解正逆光電子分光(表面・界面)
-
3a-L1-3 角度分解二次電子分光法による単結晶グラファイトの非占有電子帯構造(半導体,(グラファイト・インターカレーション,ダイカルコゲナイド・インターカレーション))
-
31a-M2-3 Si(oo1)2×1-sの角度分解UPS(表面・界面)
-
25pPSB-65 表面修飾金属ナノ粒子.の光電子分光(25pPSB 表面界面・結晶成長,領域9(表面・界面,結晶成長分野))
-
31p-PS-15 高温超電導体(La, Y, Bi系)の紫外線逆光電子分光(31p PS 低温(酸化物超伝導))
-
1a-pS-62 U系化合物の内殻光電子スペクトル(1aPS 磁性(f電子系),磁性)
もっと見る
閉じる
スポンサーリンク