3a-C4-1 Xe/Cr(110)の角度分解光電子分光
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
- 社団法人日本物理学会の論文
- 1988-09-16
著者
-
鈴木 章二
東北大院・理
-
鈴木 章二
東北大理
-
加藤 博雄
弘前大理工
-
米田 忠弘
テキサスインスツルメンツ筑波r&dセンター
-
匂坂 康男
弘前大理工
-
枝元 一之
東工大理
-
恩地 勝
京大理
-
匂坂 康男
京大理
-
米田 忠弘
京大理
-
加藤 博雄
高エ研PF
-
相浦 義弘
筑波大理
関連論文
- 30aWP-12 遷移金属上に成長させたAgナノ薄膜の角度分解光電子分光(ナノ構造量子物性)(領域9)
- 28pPSB-54 表面修飾金属ナノ粒子の光電子分光 II
- 19pPSB-58 CoSi_2ナノ薄膜における量子サイズ効果 : 角度分解光電子分光
- 19aWD-11 表面修飾Auナノ粒子の光電子分光 II
- 30pYQ-3 Agナノ薄膜/Fe系の角度分解光電子分光 III
- 29pPSA-44 Auナノ粒子の光電子分光
- 23pTA-4 Agナノ薄膜/Fe系の角度分解光電子分光II
- 24aPS-59 半導体基板上に成長させた半金属Biナノ薄膜の電子構造
- 24aPS-58 Agナノ薄膜/Fe系の角度分解光電子分光
- 23aW-11 Ag二重量子井戸構造の角度分解光電子分光 III
- 25pY-11 Ag二重量子井戸構造の角度分解光電子分光II
- 25aYC-19 Ge(111)面上のウラン薄膜のX線光電子分光
- 29a-PS-55 Ag二重量子井戸構造の角度分解光電子分光
- 29a-PS-54 Agナノ薄膜の温度依存角度分解光電子分光及びX線回折
- 26a-YR-9 X線光電子回折によるSi(001)2×3-Ag最表面層の構造解析
- 25a-YR-4 Agナノ薄膜/fcc Fe系の角度分解光電子分光
- 25a-YR-3 Agナノ薄膜における光電子スペクトルの温度依存性
- 25p-YP-11 VSi_2の共鳴逆光電子分光
- 3a-W-10 PF BL-18Aにおける高分解能角度分解光電子分光
- 31a-H-8 Ce/Pd(100)の光電子分光
- 13a-N-15 角度分解型UPSによる黒リンの電子構造の研究 II
- 27a-N-7 角度分解UPSによる黒リンのバンド構造の研究
- 31a-S-1 光電子分光及び飛行時間分析型中エネルギーイオン散乱によるCe/Ni(110)表面層の研究
- ウラン化合物の内殻光電子スペクトル
- U_xLa_Pd_2Al_3の共鳴光電子分光
- 31p-Z-11 プラセオジム/遷移金属界面のX線光電子分光
- 28a-W-12 UPd_2Al3_, UNi_2Al_3のXPS, X-BlS
- 28a-W-11 Pr/Auの光電子分光
- 31a-H-14 ウラン化合物の内殻線形状の解析
- 31a-H-13 貴金属表面上ウラン薄膜のX線光電子分光
- 28p-H-3 Ce/Cu(110)の光電子分光
- 12a-DC-17 Ce/Ni(110)界面における化合物形成と電子構造
- 12a-DC-16 CeNiAl_4、CeNi_2Al_5の高分解能共鳴光電子分光
- 12a-DC-14 ウラン化合物の共鳴光電子分光
- 12a-DC-13 ウラン化合物の内殻線形状の非対称性と価電子帯スペクトル
- 29p-P-8 Ti酸素化物の光電子分光と逆光電子分光
- 29a-P-12 セリウム化合物(CeSn_3,CeNiSn,CePdSn)のXPS,X-BISスペクトル
- 27p-ZS-9 シンクロトロン放射角度分解光電子分光法によるSi(001)2x1-Na表面の研究
- 25p-YP-10 Ce-Ni化合物の共鳴逆光電子分光
- 31p-YF-5 100-200eVの光電子回折による表面構造解析
- 31a-YG-4 Ag ナノ薄膜における電子-格子相互作用;光電子分光
- 30a-YM-9 Pr/Si(111)のX線光電子分光
- 30a-YM-8 Biナノ薄膜(バルク領域)の光電子分光
- 30a-YM-7 Agナノ薄膜の角度分解光電子分光
- 真空紫外逆光電子分光装置の開発と希土類化合物の逆光電子分光(第42回 物性若手夏の学校(1997年度))
- Agナノ薄膜における量子サイズ効果の光電子分光測定(第42回 物性若手夏の学校(1997年度))
- 8p-B-1 Mo(110)清浄表面上のNi吸着相
- 5p-B-7 Biナノ薄膜のエピタキシャル成長と光電子分光
- 5p-B-6 Ge蒸着Si(001)表面の炭化過程
- 6a-G-5 UPd_2Al_3の真空紫外逆光電子分光
- 6a-G-4 CeNiSi_2, CePtSi_2のXPS, X-BIS
- 31p-F-2 金属超薄膜における量子サイズ効果 : 光電子分光III
- 31a-T-9 X線光電子回折法によるSi(001)c(4×4)-C表面の構造解析
- 30p-YC-10 Agナノ薄膜における量子化電子状態
- 29p-YC-13 Si単結晶上のウラン薄膜
- 28a-YC-11 Si_xGe_バルク単結晶の正・逆光電子分光
- 金属超薄膜における量子サイズ効果 : 光電子分光II
- NdB_6(110)清浄表面の光電子分光II
- NdB_6(110)清浄表面の光電子分光I
- CeB_6の真空紫外逆光電子分光
- 31p-PSB-58 金属超薄膜における量子サイズ効果:光電子分光
- 31p-PSB-27 Ge/Si(001)初期界面における相互拡散
- 三元系セリウム化合物の物質探索と単結晶の純良化
- 28a-W-13 エネルギー分散型VUV逆光電子分光装置
- 27a-W-14 MBE-光電子分光複合装置の建設
- 29a-J-7 Surface structure analysis of Si(001)2×2-In and 2×3-In by x-ray photoelectron diffraction
- 28p-YQ-12 単結晶Si_xGe_のXPSスペクトル
- 5a-Q-4 Submonolayer Growth of Al on a Single-domain Si(001)-2×1 : A LEED and XPS Study
- 4a-F-18 ウラン薄膜の光電子分光
- 31p-WC-2 XPDによる表面偏析Geエピタキシャル成長機構の解析 : Sb/Ge/Si(001)
- 13a-PS-5 オ-ジェ電子回折法によるGe吸着Si(001)表面の構造解析
- 25p-Z-2 W(100) c(2×2)-Au, Ag表面のXPD
- 30p-E-2 ウラン化合物の内殻線形状の非対称性
- 30p-E-1 ウラン化合物U_3T_3X_4(T=Ni, Cu;X=Sn, Sb)のXPS, X-BISスペクトル
- 30a-E-3 Ni(110)の角度分解共鳴光電子分光
- 28a-B-11 Ni単結晶の角度分解共鳴光電子分光
- 27a-B-3 ウラン化合物(UB_,U_2PtSi_3)のXPS,X-BISスペクトル
- 25p-PS-48 シンクロトロン放射光電子分光法によるK/Si(001)2x1表面の研究
- 25a-R-5 低温Si(001)表面上のK, Na吸着、被覆率依存性
- 25p-W-7 CeNi、LaNiの高分解能光電子分光
- Bi_2Sr_2CaCu_2O_8単結晶の角度分解逆光電子分光 : 非占有電子帯構造
- 2p-E-4 低温Si(001)c(4x2)清浄及びNa吸着表面のARUPS
- 3a-E-3 Cu(111)表面状態の角度分解光電子スペクトル II
- 3a-E-2 SORによる銅の角度分解光電子スペクトル
- 29p-U-8 銅単結晶の角度分解光電子スペクトルII
- 3p-KG-8 黒燐型P_As_合金単結晶の角度分解UPS
- 4p-E-2 S1(111)√×√-Alの角度分解UPS
- 2p-A-3 グラファイトの電子構造:角度分解UPSによる実験的決定II(σ電子領域)
- 2p-A-2 グラファイトの電子構造:角度分解UPSによる実験的決定I(π電子領域)
- 3p-RJ-10 Sm/Ge(111)表面の角度分解UPS,II
- 30a-Y-1 EuTe(100)の表面4f電子状態
- 30a-A-8 YbとSrの初期酸化過程の光電子スペクトル
- 4p-NM-8 Sm,Eu,Gd,Ybの表面4f準位-II;ARXPS
- 2a-KB-11 定偏角分光器(CDM)の設計・製作と性能テスト
- 28a-D-9 非占有電子帯構造を研究する角度分解二次電子分光I;グラファイト
- 29a-G-16 C_8M(M=K,Rb,Cs)の角度分解紫外光電子分光:E_F直下の非分散バンドの起源
- 2p-W-2 UGe_z,U_3Ge_4のXPS,X-BISスペクトル
- 31p-P-7 ___-
- 3a-TC-8 Ce金属,CeF_3およびCeO_2の内殻励起スペクトル
- 3a-TC-6 LaとBaの4d内殻軟X線吸収スペクトルにおける吸収線の非対称形状