28pTA-2 InP(110)-(1×1)表面における光誘起構造変化の励起波長依存性
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
- 社団法人日本物理学会の論文
- 2001-03-09
著者
関連論文
- 15a-DD-4 RbIにおける励起子緩和の温度依存性
- 28a-E-8 アルカリハライド結晶中の励起子緩和とスピン状態
- 15aPS-72 ナノ秒パルスレーザー励起によるグラファイト表面の構造変化(領域 9)
- 28a-E-11 フェムト秒領域におけるKBrのF中心生成過程(II)
- 28a-E-10 フェムト秒領域におけるKIの自己捕獲励起子生成過程II
- 28a-E-9 フェムト秒領域におけるRbIの自己束縛励起子生成過程
- 27a-A-10 フェムト秒領域におけるKIの自己束縛励起子生成過程
- 27p-D-19 MgF_2中の自己捕獲励起子に対する偏光分光
- 28pWR-2 Si(111)-(2x1)表面における光誘起構造変化機構III(表面界面ダイナミクス(電子励起・摩擦))(領域9)
- 20pYD-3 Si 再構成表面における光誘起表面構造変化機構
- 14p-S-13 アルカリ沃化物におけるπ発光とEx発光
- 31p-PSB-47 Si(111)-7x7表面におけるレーザー誘起原子放出 : 放出原子の速度分布
- 29p-Z-21 半導体表面2次元系における光誘起構造変化 2
- 29p-Z-20 半導体表面2次元系における光誘起構造変化 1
- 31p-J-8 Si(111)7×7表面のサイト選択性レーザー誘起原子放出
- 31a-S-5 半導体表面上の微量欠陥からのレーザー誘起電子放出
- 5a-R-5 Si(111)7×7表面のサイト選択性レーザー誘起原子放出
- 領域9「電子励起による表面ナノテクノロジーの展開」(2002年秋季大会シンポジウム(物性分科会)の報告)
- 12a-DH-4 Si(100)清浄表面からの欠陥を媒介としたレーザー誘起原子放出
- 29p-PSB-19 表面欠陥に起因するレーザー誘起電子放出
- 28p-Z-3 GaAs(110)表面からのレーザー誘起電子放出
- 27p-ZS-12 GaAs(110)表面におけるレーザ誘起原子放出の励起スペクトル
- 28a-E-6 GaAs(110)表面欠陥からのレーザー誘起Ga原子放出
- 石英における励起子緩和と欠陥生成
- 4a-B-8 RECONSTRUCTED ADIABATIC ENERGY SURFACES FOR SELF-TRAPPED EXCITONS
- 28aZF-9 Si(111)-(2×1) 表面における光誘起構造変化機構 II
- 19pTF-5 Si(111)-(2×1)表面上の光誘起構造変化に対する表面励起状態の役割
- 1a-YA-2 Si(111)-7x7表面におけるレーザー誘起原子放出 : 励起波長依存性
- 28a-E-6 アルカリハライド中の自己捕獲励起子におけるハロゲン分子イオンの配向II
- 14p-S-14 アルカリハライドの緩和励起子に於ける無輻射遷移
- 20pYD-2 電子励起による InP(110) 表面構造変化
- 28aZF-7 Si(001)-(2×1) 表面における光誘起 Si 原子クラスター形成過程
- 19pTF-6 Si(100)-(2×1)表向からのレーザー誘起Si原子脱離の励起波長依存性II
- 19pTF-4 InP(110)-(1x1)表面における光誘起構造変化の励起波長依存性II
- 28pTA-11 Si(001)-(2×1)表面からのレーザー誘起Si原子脱離の励起波長依存性
- 28pTA-3 Si(111)-(2×1)表面における光誘起構造変化2
- 28pTA-2 InP(110)-(1×1)表面における光誘起構造変化の励起波長依存性
- 28pTA-1 半導体表面における光誘起構造変化はバンドベンディングに依存するか?
- 25pTA-10 InP(110)1×1表面における光誘起構造変化の形態
- 25pTA-9 レーザー照射による新表面構造の探索
- 25aT-8 Si(111)2×1表面の光励起による構造変化II
- 25aT-7 InP(110)表面における励起波長に依存した光誘起構造変化の形態
- 25pY-4 Si(111)2x1表面の光励起による構造変化 I
- 25pY-3 InP(110)-(1x1)表面における光誘起構造変化と脱離 : トンネル顕微鏡による観察 II
- 25pY-2 InP(110)-(1x1)表面における光誘起構造変化と脱離 : フェムト秒非共鳴イオン化分光法 II
- 14pXF-11 InP(110)-(1x1) 表面の光誘起ボンド切断におけるサイト相関(表面界面ダイナミクス, 領域 9)
- 29p-PS-29 GaAs(110)表面からのレーザー誘起電子放出
- 1a-YA-1 フェムト秒レーザーを用いたSi(111)-7x7表面での光誘起原子放出過程
- 3a-Y-6 半導体表面における光誘起構造変化3