28pTA-11 Si(001)-(2×1)表面からのレーザー誘起Si原子脱離の励起波長依存性
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
- 社団法人日本物理学会の論文
- 2001-03-09
著者
関連論文
- 27pXJ-1 フェムト秒パルスレーザー励起によるグラファイト表面構造変化III(27pXJ 表面ダイナミックス(金属表面),領域9(表面・界面,結晶成長))
- 28pWR-2 Si(111)-(2x1)表面における光誘起構造変化機構III(表面界面ダイナミクス(電子励起・摩擦))(領域9)
- 20pYD-3 Si 再構成表面における光誘起表面構造変化機構
- 31p-PSB-47 Si(111)-7x7表面におけるレーザー誘起原子放出 : 放出原子の速度分布
- 29p-Z-21 半導体表面2次元系における光誘起構造変化 2
- 29p-Z-20 半導体表面2次元系における光誘起構造変化 1
- 31p-J-8 Si(111)7×7表面のサイト選択性レーザー誘起原子放出
- 31a-S-5 半導体表面上の微量欠陥からのレーザー誘起電子放出
- 5a-R-5 Si(111)7×7表面のサイト選択性レーザー誘起原子放出
- 12a-DH-4 Si(100)清浄表面からの欠陥を媒介としたレーザー誘起原子放出
- 29p-PSB-19 表面欠陥に起因するレーザー誘起電子放出
- 28p-Z-3 GaAs(110)表面からのレーザー誘起電子放出
- 27p-ZS-12 GaAs(110)表面におけるレーザ誘起原子放出の励起スペクトル
- 28a-E-6 GaAs(110)表面欠陥からのレーザー誘起Ga原子放出
- 28aZF-9 Si(111)-(2×1) 表面における光誘起構造変化機構 II
- 19pTF-5 Si(111)-(2×1)表面上の光誘起構造変化に対する表面励起状態の役割
- 1a-YA-2 Si(111)-7x7表面におけるレーザー誘起原子放出 : 励起波長依存性
- 20pYD-2 電子励起による InP(110) 表面構造変化
- 28aZF-7 Si(001)-(2×1) 表面における光誘起 Si 原子クラスター形成過程
- 19pTF-6 Si(100)-(2×1)表向からのレーザー誘起Si原子脱離の励起波長依存性II
- 19pTF-4 InP(110)-(1x1)表面における光誘起構造変化の励起波長依存性II
- 28pTA-11 Si(001)-(2×1)表面からのレーザー誘起Si原子脱離の励起波長依存性
- 28pTA-3 Si(111)-(2×1)表面における光誘起構造変化2
- 28pTA-2 InP(110)-(1×1)表面における光誘起構造変化の励起波長依存性
- 28pTA-1 半導体表面における光誘起構造変化はバンドベンディングに依存するか?
- 25pTA-10 InP(110)1×1表面における光誘起構造変化の形態
- 25pTA-9 レーザー照射による新表面構造の探索
- 25aT-8 Si(111)2×1表面の光励起による構造変化II
- 25aT-7 InP(110)表面における励起波長に依存した光誘起構造変化の形態
- 25pY-4 Si(111)2x1表面の光励起による構造変化 I
- 25pY-3 InP(110)-(1x1)表面における光誘起構造変化と脱離 : トンネル顕微鏡による観察 II
- 25pY-2 InP(110)-(1x1)表面における光誘起構造変化と脱離 : フェムト秒非共鳴イオン化分光法 II
- 19pTF-3 Si(001)-(2x1)表面におけるレーザー誘起構造変化と脱離
- 29p-PS-29 GaAs(110)表面からのレーザー誘起電子放出
- 1a-YA-1 フェムト秒レーザーを用いたSi(111)-7x7表面での光誘起原子放出過程
- 3a-Y-6 半導体表面における光誘起構造変化3
- 20pYD-1 低エネルギー電子線励起による Si(111)-(7x7) 表面構造の変化
- 28aZF-8 光励起による Si(001)-(2×1) 表面におけるサイト選択的結合切断