領域9「電子励起による表面ナノテクノロジーの展開」(2002年秋季大会シンポジウム(物性分科会)の報告)
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
- 社団法人日本物理学会の論文
- 2003-02-05
著者
関連論文
- 22aWA-1 レーザーアニールを利用したSi(111)清浄表面の電子状態
- 15aPS-72 ナノ秒パルスレーザー励起によるグラファイト表面の構造変化(領域 9)
- 20pYD-3 Si 再構成表面における光誘起表面構造変化機構
- 領域9「電子励起による表面ナノテクノロジーの展開」(2002年秋季大会シンポジウム(物性分科会)の報告)
- 19pTF-5 Si(111)-(2×1)表面上の光誘起構造変化に対する表面励起状態の役割
- 20pYD-2 電子励起による InP(110) 表面構造変化
- 19pTF-6 Si(100)-(2×1)表向からのレーザー誘起Si原子脱離の励起波長依存性II
- 19pTF-4 InP(110)-(1x1)表面における光誘起構造変化の励起波長依存性II
- 28pTA-2 InP(110)-(1×1)表面における光誘起構造変化の励起波長依存性
- 28pTA-1 半導体表面における光誘起構造変化はバンドベンディングに依存するか?
- 25pTA-10 InP(110)1×1表面における光誘起構造変化の形態
- 25pTA-9 レーザー照射による新表面構造の探索
- 25aT-8 Si(111)2×1表面の光励起による構造変化II
- 14pXF-11 InP(110)-(1x1) 表面の光誘起ボンド切断におけるサイト相関(表面界面ダイナミクス, 領域 9)
- 13aXF-13 低エネルギー電子線励起による Si(111)-(7×7)表面構造の変化 II(表面界面ダイナミクス : シリコン・ダイヤモンド, 領域 9)