5a-W-12 InAs表面の超伝導204
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
- 社団法人日本物理学会の論文
- 1976-03-10
著者
関連論文
- 31a-Z-2 量子化ホール抵抗の高精度測定IV
- 4a-C-8 量子化ホール抵抗の高精度測定 III
- 28a-R-13 低温強磁場下のGaAs/AlGaAs 2次元系の複合フェルミオンの電気的性質
- コルビノ型試料を用いた量子ホール効果のブレークダウンの測定
- 3a-E-6 GaAs/AlGaAs 2次元系の量子ホール効果のブレークダウン
- 3a-F-2 量子化ホール抵抗の高精度測定 V
- 6a-A2-4 量子化ホール抵抗の高精度測定(II)
- 27p-G-1 Si-MOSFETの電気伝導度のFluctuations(II)
- 28p-A-4 磁界中での二次元電子系の局在
- 3p-F-12 量子ホール効果状態における低周波雑音
- 3a-A-19 量子ホール効果の精密測定III
- 1p-KH-6 量子ホール効果の精密測定II
- 13p-E-8 量子ホール効果の精密測定
- 2p-A-8 Si-MOSFETのHall効果の精密測定 V
- 2p-A-7 Si-MOSFETの量子ホール抵抗の10mk付近での測定
- 2p-A-6 mK温度域のSi-MOS反転層の電気伝導
- 1a-Pα-23 Liq.^3He温度におけるSi-MOSFETのHall抵抗
- 5a-NL-9 SiMOS反転層内電子のHall効果の精密測定IV
- 5a-NL-8 SiMOS反転層内電子のHall効果の精密測定III
- 28a-F-2 GaAs/AlGaAs界面の分数量子ホール効果;活性化エネルギ-III
- 28p-A-7 GaAs/AlGaAs界面の分数量子ホール効果 : 活性化エネルギー
- 誌上討論(表面物性 II. 表面を探る)
- 特集にあたって(表面物性 I. 表面界面の諸問題)
- 30p-Q-4 量子化ホール抵抗の高電流による崩壊II
- 30p-Q-3 量子ホール効果状態での活性化エネルギーのホール電場依存性III
- 30p-Q-4 量子化ホール抵抗の高電流による崩壊II
- 30p-Q-3 量子ホール効果状態での活性化エネルギーのホール電場依存性III
- 8a-N-5 量子ホール抵抗の高電流による崩壊
- 8a-N-4 量子ホール効果状態での活性化エネルギーのホール電場依存性 II
- 8a-N-5 量子化ホール抵抗の高電流による崩壊
- 8a-N-4 量子ホール効果状態での活性化エネルギーのホール電場依存性II
- 28a-R-13 低温強磁場下のGaAs/AlGaAs 2次元系の複合フェルミオンの電気的性質
- 量子ホール効果状態での活性化エネルギーのホール電場依存性
- 量子化ホール抵抗の高精度測定 : 試料幅依存性
- 量子ホール効果状態での活性化エネルギーのホール電場依存性
- 量子化ホール抵抗の高精度測定 : 試料幅依存性
- 9a-M-5 Geの表面伝導
- コルビノ型試料を用いた量子ホール効果のブレークダウンの測定
- 3p-A-12 GaAs/AlGaAsヘテロ界面の負磁気抵抗
- 3p-A-11 GaAs/AlGaAsヘテロ接合界面での分数量子ホール効果
- 13p-E-5 GaAs/GaAlAs界面2次元電子系の負磁気抵抗
- 30a-M-6 GaAs-Ga_Al_xAsヘテロ構造の量子ホール効果の精密測定
- 3a-Eー8 低移動度GaAs/AlGaAsヘテロ接合二次元電子系の分数量子ホール効果と複合フェルミオン
- 4a-J-11 GaAs/AlGaAsヘテロ接合二次元系強磁場絶縁相の活性化伝導における電子間クーロン相互作用
- 4p-J-11 GaAs/AlGaAsヘテロ接合二次元系強磁場絶縁相の活性化伝導における電子間クーロン相互作用
- 12a-K-9 量子ホール効果のブレークダウン
- 12a-K-9 量子ホール効果のブレークダウン
- 28a-C-4 シリコンMOS二次元電子系の強磁場電子局在・V
- 3a-F-3 シリコンMOS二次元電子系の強磁場電子局在・III
- 31a-Z-1 シリコンMOS二次元電子系の強磁場電子局在・II
- 31p-ZB-5 高移動度シリコン2次元金属相における磁気抵抗効果
- 31p-ZB-5 高移動度シリコン2次元金属相における磁気抵抗効果
- 26p-YG-8 Si/SiGeヘテロ接合2次元電子系における金属相の異常な電気伝導
- 13a-H-3 酸化膜のないSi表面反転層の電気伝導
- 27p-G-2 InAs MISFET n型反転層の電気伝導
- 3a-A-17 シリコンMOS反転層の負磁気抵抗と谷間散乱
- 3a-A-16 MOS反転層における表面イオン散乱とアンダーソン局在
- 2a-C-7 mk領域までのMOS反転層の電気伝導 IV
- 1a-Pα-22 mK領域までのMOS反転層の電気伝導IV
- 4p-NF-8 mK領域におけるMOS反転層の電気伝導II
- 30p-K-7 mk領域におけるSi-MOS反転層の電気伝導
- 28a-ZB-6 量子化ホール抵抗の高電流による崩壊III
- 28a-ZB-6 量子化ホール抵抗の高電流による崩壊III
- 26p-YG-13 ホール電場に依存する量子化ホール抵抗の崩壊現象と高精度量子化ホール・バーの2抵抗体1次元超格子模型
- 26p-YG-13 ホール電場に依存する量子化ホール抵抗の崩壊現象と高精度量子化ホール・バーの2抵抗体1次元超格子模型
- 26a-YG-8 低温強磁場下のGaAs/AlGaAs 2次元系の複合フェルミオンの電気的性質III
- 26a-YG-8 低温強磁場下のGaAs/AlGaAs 2次元系の複合フェルミオンの電気的性質III
- 30a-Q-8 低温強磁場下のGaAs/AlGaAs2次元系の複合フェルミオンの電気的性質II
- 30a-Q-8 低温強磁場下のGaAs/AIGaAs2次元系の複合フェルミオンの電気的性質II
- 量子ホール効果のブレークダウンの試料形状依存性
- 量子ホール効果のブレークダウンの試料形状依存性
- 量子化ホール抵抗とブレークダウン
- 29a-M-9 GaAs/AlGaAsヘテロ接合の量子ホール効果のブレークダウンII
- 29a-M-9 GaAs/AlGaAsヘテロ接合の量子ホール効果のブレークダウン II
- 4a-J-13 GaAs/AlGaAsヘテロ接合の量子ホール効果のブレークダウン
- 4p-J-14 量子化ホール抵抗の高精度測定
- 4p-J-13 GaAs/AlGaAsヘテロ接合の量子ホール効果のブレークダウン
- 23aL-8 分数量子ホール効果の高精度測定
- 17pYG-5 量子化ホール抵抗の崩壊 : 温度依存性II
- 17pYG-4 量子化ホール抵抗の崩壊 : ランダウ準位充填率依存性II
- 17pYG-3 量子化ホール抵抗の崩壊 : 磁場角度依存性II
- 27pTC-5 量子化ホール抵抗の崩壊 : 磁場角度依存性
- 23pSA-5 量子化ホール抵抗の崩壊 : 温度依存性
- 3p-F-15 Si-MOS反転層の低温での非弾性散乱時間
- 1p-KH-5 Si-MOS反転層の伝導率の温度依存性
- GaAs/AlGaAs FETでの量子ホール効果・絶縁体転移
- GaAs/AlGaAs FETでの量子ホール効果・絶縁体転移
- 27a-W-1 Si-MOS2次元電子系の異常磁気抵抗効果
- 26p-YG-8 Si/SiGeヘテロ接合2次元電子系における金属相の異常な電気伝導
- 30p-Q-5 高移動度シリコン2次元電子系での金属・絶縁体転移と磁気抵抗
- 30p-Q-5 高移動度シリコン2次元電子系での金属・絶縁体転移と磁気抵抗
- 30a-RB-10 Si-MOSFETn型反転層における非弾性散乱時間と谷間散乱
- 9a-B-18 半導体の表面二次元伝導と表面波 III
- 4a-C-6 シリコンMOS二次元電子系の強磁場電子局在
- 6a-A2-2 ν
- 22pL-7 2次元系の金属・絶縁体転移とスピン自由度
- 26p-YG-7 シリコンMOSFETにおける金属・絶縁体転移と磁場効果
- 26p-YG-7 シリコンMOSFETにおける金属・絶縁体転移と磁場効果
- 第2回固体表面国際会議
- 28a-R-7 Si-MOSFET2次元電子系における強局在領域での磁気抵抗