オージェ電子分光法の定量化の話題
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
- 社団法人日本物理学会の論文
- 1975-09-05
著者
関連論文
- Bi系超伝導薄膜作製に及ぼす活性酸素の効果-薄膜作製時におけるプラズマ発光分光分析-
- 2p-NM-5 AES法による非破壊深さ方向表面組成分析法(シリサイド表面への応用)
- 3a-E-1 DAPS法による金属表面の観察及び他の分光法との比較
- 12p-Y-10 オージェ電子分光法の定量化(電子の平均自由工程について)
- 12p-Y-3 AESおよびDAPS法によるSi蒸着薄膜と金属の初期界面反応
- サマリー・アブストラクト
- 12p-Y-2 全自動化AES法による薄膜の初期成長(Ag/Si系への応用)
- 24a-N-5 KCl, MgOのN(E)曲線のelastic peakとLEED, I-V曲線との対応
- 1p-A-10 AES法による非破壊深さ方向表面組成分析法(シリサイド表面への応用)III
- 30a-A-2 BaおよびU金属表面のしきい値分光低域(〜100eV)スペクトル
- 4p-NM-9 しきい値分光法による低エネルギー域(〜100eV)Ba,Laスペクトル
- 30acJ-5 AES法による非破壊深さ方向表面組織分析法
- オージェ電子分光法の定量化の話題
- オ-ジェ電子スペクトルにおける低エネルギ-域バックグラウンドの簡単な改善法
- アブストラクト
- 固体表面分析用Disappearance Potential Spectroscopy(DAPS)法
- オージェ電子分光 (AES) 法による薄膜成長の観察 (理論的考察)