22aYD-9 ダイヤモンド表面の電界電子放出に及ぼす水素欠陥の効果

スポンサーリンク

概要

• 論文の詳細を見る
• 社団法人日本物理学会の論文
• 2003-08-15

著者

• 渡辺 一之

  東理大理:jst-crest

• 洗平 昌晃

  東理大理、科技団CREST

• 渡辺 一之

  東理大理、科技団CREST

• 洗平 昌晃

  東理大理:crest-jst

関連論文

• 15aPS-5 時間依存密度汎関数法による炭素ナノ構造の光学吸収スペクトル(領域 9)
• ナノスケール構造の静電容量の第一原理計算(最近の研究から)
• 21pRA-6 ナノスケール構造のキャパシタンスの第一原理計算
• 25pWD-1 空間分割第一原理計算の原理と応用
• 24aPS-2 実空間第一原理計算によるナノスケール系の電界
• ナノスケール物性計測のシミュレーション
• 炭素ナノ構造の電界放出機構 : 原子からダイヤモンドまで
• カーボンナノチューブの量子化熱伝導度(最近の研究から)
• 27pPSA-4 ナノ構造からの電界電子放射機構(領域9ポスターセッション)(領域9)
• 24aPS-1 金属表面からの電界電子放出電流の第一原理計算
• 30aPS-15 炭素ナノ構造からの電界電子放出に関する第一原理計算(30aPS 領域9ポスターセッション(表面,界面,結晶成長),領域9(表面・界面,結晶成長))
• 21aPS-28 時間依存密度汎関数法とリカージョン伝達行列法による電界電子放射現象の解析(領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 24pPSA-16 分子架橋のアドミッタンスに関するタイトバインディング計算(ポスターセッション,領域9,表面・界面,結晶成長)
• 18aTJ-7 時間依存密度汎関数法によるグラフェンリボンからの電界電子放射
• 21aPS-85 フラーレン架橋の非弾性電子輸送と分子運動制御(領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 28aYX-1 水素吸着カーボンナノチューブに関する第一原理計算 III
• 電界電子放射の第一原理計算
• カーボンナノチューブの熱輸送
• カーボンナノチューブの熱伝導における普遍的量子化現象
• 27aXD-5 ナノスケール物質の電気伝導特性に及ぼす電子 : フォノン散乱の影響(ナノワイヤ・ナノチューブ,領域9(表面・界面, 結晶成長))
• 15aPS-73 ナノスケール伝導体の電流による熱発生(領域 9)
• 26aF-5 水素吸着カーボンナノチューブに対する第一原理計算
• 20aPS-9 電界電子放射により表面原子に働く力の第一原理計算II(ポスターセッション,領域9,表面・界面,結晶成長)
• 25pPSB-7 電界電子放射により表面原子に働く力の第一原理計算(25pPSB 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 22aYD-9 ダイヤモンド表面の電界電子放出に及ぼす水素欠陥の効果
• ナノ物性計測シミュレータの開発に向けて (特集 次世代統合シミュレーション技術)
• 25p-M-5 強電界中におけるカーボンナノチューブの電子状態
• 25pPSB-20 ダイヤモンド表面からの電界電子放出に関する第一原理計算(25pPSB 表面界面・結晶成長,領域9(表面・界面,結晶成長分野))

もっと見る 閉じる

スポンサーリンク