洗平 昌晃 | 東理大理:crest-jst

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概要

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関連著者

• 渡辺 一之

  東理大理:jst-crest

• 洗平 昌晃

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• 渡辺 一之

  東理大理

• 洗平 昌晃

  東理大理

• 相馬 聡文

  Crest-jst:東京理科大理

• 中岡 紀行

  先端力学シミュレーション研

• 野口 智之

  東理大理

• 渡辺 一之

  東京理科大学理学部

• 中村 泰弘

  東大工:科学技術振興機crest

• 中村 泰弘

  東理大理

• 金井 千里

  東京理科大学理学部

• 多田 和広

  東京理科大学理学部

• 野口 智之

  東理大理:crest-jst

• 洗平 昌晃

  東理大理、科技団CREST

• 渡辺 一之

  東理大理、科技団CREST

• 洗平 昌晃

  東京理科大学理学部

• 山内 明弘

  東京理科大学理学部

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著作論文

• 15aPS-5 時間依存密度汎関数法による炭素ナノ構造の光学吸収スペクトル(領域 9)
• 炭素ナノ構造の電界放出機構 : 原子からダイヤモンドまで
• 27pPSA-4 ナノ構造からの電界電子放射機構(領域9ポスターセッション)(領域9)
• 30aPS-15 炭素ナノ構造からの電界電子放出に関する第一原理計算(30aPS 領域9ポスターセッション(表面,界面,結晶成長),領域9(表面・界面,結晶成長))
• 21aPS-28 時間依存密度汎関数法とリカージョン伝達行列法による電界電子放射現象の解析(領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 20aPS-9 電界電子放射により表面原子に働く力の第一原理計算II(ポスターセッション,領域9,表面・界面,結晶成長)
• 25pPSB-7 電界電子放射により表面原子に働く力の第一原理計算(25pPSB 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 22aYD-9 ダイヤモンド表面の電界電子放出に及ぼす水素欠陥の効果

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