23a-L-12 温度勾配による焼鈍効果
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
- 社団法人日本物理学会の論文
- 1973-11-22
著者
関連論文
- 31p-G-3 液体アルミニウムの過冷却度
- 5p-NJ-5 液体スズの過冷却度
- 30a-G-10 液体ビスマスに於ける過冷却度と比熱
- 29a-J-12 液体ビスマスに於ける過冷却度
- 3p-P-14 過冷却状態におけるビスマスの比熱測定 III
- 2p GJ-6 過冷却状態におけるビスマスの比熱測定 II
- 5a-DQ-7 過冷却状態におけるビスマスの比熱測定
- 12a-P-7 ビスマス単結晶の融点直下での焼鈍効果
- 3p-C-3 電子線照射したゲルマニウムにおける陽電子消滅パラメータの温度依存性
- 28a-U-11 陽電子消滅法と電気抵抗測定によるアモルファスFe_Ni_P_B_6合金の構造緩和現象と再結晶化の研究
- 4a-P-1 陽電子消滅法による、非晶質金属の研究
- 1p-T-13 Biの弾性定数の温度依存性
- 1p-N-5 ビスマス薄膜の電気抵抗測定
- 5p-NJ-6 ビスマスの過冷却液体の密度測定
- 5p-NJ-4 融点近傍におけるBiの弾性定数
- 1a-Q-13 歪を加えたビスマスの転位による伝導電子の散乱
- 4a-J-11 歪を加えたBiのアルフェン波,サイクロトロン共鳴,シェブニコフ・ドハース振動
- 29a-J-13 レーザービームを用いた固体ビスマスの比熱測定
- 28a-J-9 低温領域におけるBi単結晶の臨界剪断応力
- 5a-P-1 塑性変形されたBi単結晶の帯磁率の温度依存性
- 2p GJ-3 ビスマス中の転位と帯磁率
- 5a-DQ-10 塑性変更されたビスマス単結晶の電流磁気効果
- 慣性モーメント及びこまの歳差運動を学ぶための実験器具
- 歪みゲージを使った摩擦力の測定
- デジタルカメラとノートパソコンを使った力学実験
- 実験教材としての固体レｰザｰの開発
- 12a-K-7 過冷却液体Biの構造
- 29a-H-3 エネルギー分散法による過冷却金属液体の観察
- 9a-P-2 ビスマスの過冷却状態での電気抵抗
- 3a-M-3 ビスマスの原子空孔の形成エネルギー
- Biの低磁場での低温における電気抵抗 : 格子欠陥
- 11a-C-11 Bi單結晶の残留抵抗の方向依存性
- α鉄結晶中の{123}系転位の弾性的性質
- イオン結晶における曲げ加工と転位濃度との関係(I) : XII. 結晶塑性
- bcc結晶における転位の弾性エネルギと辷り系の選択の関係
- bcc金属における転位の応力場,相互作用力およびエネルギの異方性
- 1a-U-9 Bi の etch pits
- 1a-U-8 Bi 単結晶の引張り変形
- プラズマ振動 : XXVII. 統計力学
- 31C29 金属(Cu,Al)のshearing stressによる電気抵抗の変化について
- Biの歪と電気抵抗 : 格子欠陥
- 3p-M-3 Biの歪と電気抵抗
- 8a-K-10 Bi Single Crystalの歪と電気伝導度 II
- 8a-K-9 Bi Single Crystalの歪と電気伝導度 I
- 金属(Bi)の歪みによる電気抵抗 : XII. 結晶塑性
- 8F4 銅單結晶に於ける電気抵抗とetch pit
- 17K-16 金属(Cu單結晶)のtortion Strainによる電気抵抗の増加
- 4a-D-4 電子ガスの基底状態
- 17D-5 マイスナー効果について
- 5a-DQ-9 ビスマス中の転位と帯磁率
- 4a-AE-9 ReO_3熱膨張率
- 3p-CE-3 ビスマスの帯磁率の測定 II
- 3p-CE-2 Biの低温における降伏応力の異常
- 9a-P-4 ビスマスの磁化率の測定
- 9a-P-3 Biの融点近傍における比熱の測定(II)
- 9a-P-1 Bi単結晶の結晶構造(II)
- 5a-M-10 ビルマスの融点直下における比熱の異常
- 5a-M-9 ビルマス単結晶の高温における結晶構造
- 8a-Q-4 ボルンフォンカルマンモデルにおけるBiの力学定数の温度依存性
- 8a-Q-3 Bi単結晶の高温における結晶構造(I)
- 7a-Q-12 ビスマスの原子空孔の移動エネルギー
- 6p-Q-8 低温領域でのBi単結晶の降伏点の温度依存性
- 12a-N-10 ビスマスの転位の活性化エネルギーの異方性
- 10a-N-5 Biの融点近傍における線膨張係数
- Bi微粒子薄膜の構造と電気抵抗
- 2p-Y-4 Bi-Pb合金液体の電気抵抗率
- 5a-E4-2 Bi-Pb合金液体の構造
- 4a-Q-8 過冷却液体ビスマスの構造
- 2p-E-10 液体Biの陽電子消滅角相関
- 7p-V-5 液体Biでの陽電子消滅
- 5p-T-12 容融点近傍での陽電子寿命 : Bi
- 4a-M-6 Bi単結晶の臨界剪断応力の温度依存性
- 3a-M-2 ビスマスの原子空孔濃度
- 11p-Q-2 Biの臨界剪断応力の温度依存
- 4a-KM-8 Biの温度による転位密度
- 23a-L-12 温度勾配による焼鈍効果
- 4a-M-7 Bi単結晶の転位速度I
- 5a-KM-2 ビスマス単結晶の転位による電気抵抗
- 5a-D-5 BiのGalvanomagnetic Effect II
- 5a-D-4 BiのGalvanomagnetic Effect I
- Bi結晶中の格子欠陥の機械的および電気的性質
- 22p-L-8 ビスマス単結晶の主スベリの温度変化
- 8a-H-2 Biの引上げ速度の結晶におよぼす影響
- Biの単結晶引上げ中の温度勾配の影響 : 結晶成長
- 15F-19 金属(Cu単結晶)のtorsion strainによる電気抵抗の変化について(金属・塑性)
- 3B14 金属格子による電子の多重散乱について.(3B 金属・塑性)
- 1a-A1-4 凝固直前の液体Biの構造(1a A1 金属)