25a-G-7 ドープド砒素酸化膜よりの高濃度砒素拡散

スポンサーリンク

概要

• 論文の詳細を見る
• 社団法人日本物理学会の論文
• 1973-11-22

著者

• 角田 吉弘

  電電公社通研

関連論文

• 8p-H-12 赤外干渉法によるNonN^Siエピタキシャル成長境界の不純物分布測定
• 4a-T-4 ドープド砒素酸化膜の状態変化
• 6a-KL-13 2ゾーンボックス法によるSi中へのAs拡散
• 25a-G-7 ドープド砒素酸化膜よりの高濃度砒素拡散
• 6a-M-4 ドープド砒素オクサイド膜からの高濃度砒素拡散
• 14p-L-4 溶融法によりα-Al_2O_3上に成長したGe結晶の不純物分布(III)
• α-Al_2O_3基板上へのSi, Geの成長 : 結晶成長

スポンサーリンク