角田 吉弘 | 電電公社通研
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概要
関連著者
著作論文
- 8p-H-12 赤外干渉法によるNonN^Siエピタキシャル成長境界の不純物分布測定
- 4a-T-4 ドープド砒素酸化膜の状態変化
- 6a-KL-13 2ゾーンボックス法によるSi中へのAs拡散
- 25a-G-7 ドープド砒素酸化膜よりの高濃度砒素拡散
- 6a-M-4 ドープド砒素オクサイド膜からの高濃度砒素拡散
- 14p-L-4 溶融法によりα-Al_2O_3上に成長したGe結晶の不純物分布(III)
- α-Al_2O_3基板上へのSi, Geの成長 : 結晶成長