α-Al_2O_3基板上へのSi, Geの成長 : 結晶成長
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
- 社団法人日本物理学会の論文
- 1966-10-15
著者
関連論文
- 5a-G-5 シリコン中のリン拡散係数の異常性
- 15a-G-11 Si p-n接合でのすべりおよび上昇運動による転位の発生
- 15a-G-9 SiP-N接合の格子欠陥と生成 : 再結合中心
- 酸素を含有するSi単結晶の熱処理の研究: 粒子線・X線
- 8p-H-12 赤外干渉法によるNonN^Siエピタキシャル成長境界の不純物分布測定
- 4a-T-4 ドープド砒素酸化膜の状態変化
- 6a-KL-13 2ゾーンボックス法によるSi中へのAs拡散
- 25a-G-7 ドープド砒素酸化膜よりの高濃度砒素拡散
- 6a-M-4 ドープド砒素オクサイド膜からの高濃度砒素拡散
- 14p-L-4 溶融法によりα-Al_2O_3上に成長したGe結晶の不純物分布(III)
- α-Al_2O_3基板上へのSi, Geの成長 : 結晶成長