シリコン気相成長層中の不純物分布 : 応用半導体
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
- 社団法人日本物理学会の論文
- 1964-03-31
著者
関連論文
- 4a-A-6 Si及びGeエピタキシャル層中の欠陥
- MOS構造のB.T.処理によるイオン移動 : 半導体(結晶成長, Device (酸化膜))
- シリコン気相成長への電界の影響III : 半導体 : 気相成長
- シリコン気相成長層中の不純物分布 : 応用半導体
- シリコン氣相成長への電界の影響II : 応用半導体
- シリコン氣相成長への電界の影響I : 応用半導体
- スプリットビーム型エリプリメトリによる薄膜の測定 : 半導体 (薄膜およびトランジスターダイオード)