18p-A-16 GaP発光ダイオードの特性

スポンサーリンク

概要

• 論文の詳細を見る
• 社団法人日本物理学会の論文
• 1969-11-15

著者

• 梶山 健二

  通研

• 岩根 眼蔵

  通研

関連論文

• 18p-A-16 GaP発光ダイオードの特性
• 銅を拡散したGaAs p-n接合の特性 : 半導体(午前:化合物,午後:p-n接合)
• 18p-A-15 GaP気相成長における基板方位効果
• GaAsのEpitaxial Growth (III) : 結晶成長
• 15a-L-6 GaAsのEpitaxial Growth (II)

スポンサーリンク