銅を拡散したGaAs p-n接合の特性 : 半導体(午前:化合物,午後:p-n接合)

スポンサーリンク

概要

• 論文の詳細を見る
• 社団法人日本物理学会の論文
• 1965-10-10

著者

• 古川 吉孝

  通研

• 梶山 健二

  通研

関連論文

• エサキダイオードの放射線損傷効果 : 半導体
• 18p-A-16 GaP発光ダイオードの特性
• 銅を拡散したGaAs p-n接合の特性 : 半導体(午前:化合物,午後:p-n接合)
• 18p-A-15 GaP気相成長における基板方位効果
• 4p-L-11 Heavily Doped Germaniumの磁氣抵抗効果
• Heavily Doped Geの電気的性質 : 低温における半導体の電気的性質シンポジウム

スポンサーリンク