GaAsのEpitaxial Growth (III) : 結晶成長

スポンサーリンク

概要

• 論文の詳細を見る
• 社団法人日本物理学会の論文
• 1969-03-30

著者

• 荒木 日出麿

  通研

• 青木 達雄

  通研

• 岩根 眼蔵

  通研

• 岩本 照巳

  通研茨城支所

関連論文

• SiCl_4によるSiの気相成長の熱力学的考察 : 結晶成長
• SiI_4によるSiのEpitaxial Growth IV : 結晶成長
• 5p-F-12 SiI_4によるSiのEpitaxial Growth (III)
• 5p-F-11 SiI_4によるSiのEpitaxial Growth (II)
• 18p-A-16 GaP発光ダイオードの特性
• 18p-A-15 GaP気相成長における基板方位効果
• GaAsのEpitaxial Growth (III) : 結晶成長
• 15a-L-6 GaAsのEpitaxial Growth (II)

スポンサーリンク