30a-D-9 電子線励起X線全反射角分光法によるSi, Ge表面の吸着過程と構造の研究
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
- 社団法人日本物理学会の論文
- 1986-09-12
著者
関連論文
- 26a-P-7 イオン励起オージェ電子分光法によるSi(111)表面構造の研究
- 1p-S-9 Si(111)-Auの光電子回折
- 1p-S-3 Si(111)√×√-Gaの光電子回折
- 26a-P-6 RHEEDによるSi(111)7×7構造の解析
- 30p-D-8 Si(111)√×√-AlのSOR光による光電子回折
- 30p-D-7 Si(111)√×√-GaのSOR光による光電子回折
- 30a-D-8 Si(111)-Ge表面の超構造と相転移の研究II
- 1a-S-8 Si(111)のRHEED強度測定 -- 温度依存性
- 14a-J-1 電子線の分子内多重散乱.I.微分散乱断面積の特徴的振舞
- 26a-P-10 RHEED-TRAXS(全反射角X線分光法)による Si、Ge表面の吸着過程と構造の研究III
- 30a-D-9 電子線励起X線全反射角分光法によるSi, Ge表面の吸着過程と構造の研究
- 30a-H-12 Si(111)-Ge表面における2種の7×7構造(表面・界面)
- 30p-H-10 電子線励起X線全反射角分光法によるSi、Ge表面の吸着過程と構造の研究 II(表面・界面)
- 29a-BG-10 Si(001)-Ge表面の超構造と相転移の研究(29a BG 表面・界面)