26a-P-6 RHEEDによるSi(111)7×7構造の解析
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
- 社団法人日本物理学会の論文
- 1987-09-16
著者
関連論文
- 28p-Y-9 ペロブスカイト型複酸化物SrTiO_3(100) 表面構造の制御と科学特性
- 28p-PS-28 低温MBE法により作製したBi(2201)歪格子の歪緩和
- 29p-PS-38 StTiO_3(100)表面構造の制御
- 27p-APS-91 Bi_2(Sr_Ca_x)_Cu_nO_y薄膜の層形成過程
- 2p-E-15 Si(100)-B1表面の2×n構造
- 3a-T-13 Si(001)-Bi表面の構造と酸化
- MBE法によるBi-Sr-ca-Cu-O系超薄膜の低温成長
- 6p-T-2 RHEED-TRAXSを使った表面構造解析装置の作製
- 26a-P-7 イオン励起オージェ電子分光法によるSi(111)表面構造の研究
- 1p-S-9 Si(111)-Auの光電子回折
- 1p-S-3 Si(111)√×√-Gaの光電子回折
- 6p-B4-4 Ge(111)表面上のGeの成長
- 6p-B4-3 Ge(111)表面の高温での相転移
- 12p-DL-8 電子線定在波を使った新しい方法による表面構造解析
- 25p-Y-5 入射角依存RHEED-TRAXSによるSi(111)-√×√-Inの構造解析
- 30p-TA-1 入射角依存RHEED-TRAXSによるSi(111) : 金属吸着構造の研究
- 26a-P-6 RHEEDによるSi(111)7×7構造の解析
- 30p-D-8 Si(111)√×√-AlのSOR光による光電子回折
- 30p-D-7 Si(111)√×√-GaのSOR光による光電子回折
- 30a-D-8 Si(111)-Ge表面の超構造と相転移の研究II
- 1a-S-8 Si(111)のRHEED強度測定 -- 温度依存性
- 4p-E-10 Si,Geの(111)表面上の7×7,5×5,2×8構造に対する統一的模型II
- 4a-RJ-4 Si(111)7×7構造のRHEED強度解析
- 4a-RJ-3 Si,Geの(111)表面上の7×7,5×5,2×8構造に対する統一的模型
- 2a-RJ-12 RHEEDの励起X線分光II
- 14p-T-6 RHEED-SSD法による螢光X線分光
- 14a-J-1 電子線の分子内多重散乱.I.微分散乱断面積の特徴的振舞
- 26a-P-10 RHEED-TRAXS(全反射角X線分光法)による Si、Ge表面の吸着過程と構造の研究III
- 30a-D-9 電子線励起X線全反射角分光法によるSi, Ge表面の吸着過程と構造の研究
- 29a-BG-10 Si(001)-Ge表面の超構造と相転移の研究(29a BG 表面・界面)