2a-W-5 シュレーディンガー方程式のFEM解析
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
- 社団法人日本物理学会の論文
- 1980-09-10
著者
関連論文
- 28p-APS-82 La_Sr_CuO_4単結晶の超伝導転移温度における熱膨張係数の異方性
- 24pY-9 単結晶人工ダイヤモンドの1/fノイズの温度変化
- 低温下で重イオン照射したシリコン半導体の電気抵抗率その場測定I
- 30a-N-13 急冷した金中の空孔集合体のX線散漫散乱
- 4a-PS-6 アモルファス合金薄帯のイオン照射による誘導磁気異方性 II
- 5a-YG-7 急冷した銅中の空孔集合体のX線散漫散乱III
- 30p-PSB-29 アモルファス合金薄帯のイオン照射による誘導磁気異方性
- 31a-P-7 急冷した銅中の空孔集合体のX線散漫散乱II
- 15a-PS-52 イオン照射したアモルファス合金薄帯の磁気特性の温度変化
- 14a-DK-8 急冷した銅中の空孔集合体のX線散漫散乱
- 31p-PSB-71 イオン照射したアモルファス合金薄帯の磁気特性
- 31p-D-1 ダイアモンド結晶の放射線照射効果のX線的研究II
- 25p-PSA-6 アモルファス合金の照射誘起高透磁率 II
- 25p-H-3 ダイヤモンド結晶の放射線照射効果のX線的研究
- 30a-PS-48 Fe-B-Si-Cアモルファス合金の高エネルギーイオン照射効果
- 30a-PS-47 アモルファス合金の照射誘起高透磁率
- 30p-ZN-4 人工ダイヤモンド単結晶の重イオン照射効果のX線測定(II)
- 平成8年度共同研究中間報告(1) : ワイドバンドギャップ半導体の基礎物性の研究
- 30a-K-8 急冷した銅単結晶のX線散漫散乱の測定
- 2p-KL-1 結晶中の振動転位による局在化モード
- 27a-A-7 β'AgZn合金の散漫散乱.I. 強度分布の特徴
- 26a-T-5 人工ダイヤモンド単結晶の重イオン照射効果のX線測定
- 2a-M-4 高エネルギーイオン照射したLiFのX線測定
- 4a-TB-10 不純物をドープしたSiの負の膨張係数(格子定数による測定)
- 10a-A-6 有限要素法による不均一媒体中の準調和方程式の解
- 4a-K-1 電磁気学における有限要素法
- DLTS法を用いたワイドギャップ半導体の評価
- Al結晶及びCu結晶中のイオン間の力定数
- 2a-W-5 シュレーディンガー方程式のFEM解析
- 4p-PS-6 1次元ランダム積層の抵抗に関するフラクタル次元
- 31a-PS-25 1次元ランダム積層のセルファフィニティフラクタル次元
- 5a-C5-7 一次元のランダム積周のフラクタル次元
- 27p-W-2 一様乱数列分布ヒストグラムのフラクタル次元
- 14p-M-6 有効媒体理論のエネルギー保存性
- 30p-SB-7 パーコレーション問題に対する有効媒体理論
- 1a-FA-1 高エネルギーイオン照射した半導体結晶の負の膨張係数(1a FA 格子欠陥)
- 1a-FA-5 高エネルギーイオン照射による損傷機構のX線測定(1a FA 格子欠陥)