28a-X-8 アンチドット格子系におけるAAS振動
スポンサーリンク
概要
著者
関連論文
-
20pGS-14 多層カーボンナノチューブにおける量子輸送特性の観測(20pGS ナノチューブ,領域7(分子性固体・有機導体))
-
26pYC-11 有限長金属カーボンナノチューブの低周波光吸収(ナノチューブ,領域7,分子性固体・有機導体)
-
24aRB-6 カーボンナノチューブの電気伝導度に現れる3倍周期構造(ナノチューブ(伝導・構造),領域7,分子性固体・有機導体)
-
21pXA-10 カーボンナノチューブの電気伝導率とAB効果(フラーレン・ナノチューブ伝導,領域7(分子性固体・有機導体))
-
30aYA-6 量子ドットにおける連続状態とファノ効果(量子ドット(開放型・結合型・その他))(領域4)
-
27aTC-5 一次元周期変調を受けた二次元電子系におけるウムクラップ電子間散乱の数値的研究
-
解説 カーボンナノチューブ電気伝導--新種の量子細線の特異な物性 (特集 フラーレンファミリー材料と最近の話題)
-
24aS-7 短距離ポテンシャルを持つカーボンナノチューブ磁場中における有効質量理論
-
磁場中のカーボンナノチューブのエネルギーバンド : 強束縛近似とk・p近似の比較
-
2p-D-11 磁場中のカーボンナノチューブ : 位置に依存した格子歪み
-
4a-R-6 カーボンナノチューブにおける電子-格子相互作用の磁場効果
-
1a-M-4 周期構造を有するメソスコピック系における電気伝導の数値解析
-
27a-B-7 磁場下二次元周期系における電気伝導現象の数値解析
-
25p-M-10 カーボンナノチューブの後方散乱消失機構とベリーの位相
-
25pWS-8 単層,2層グラフェン境界における谷分極伝導(25pWS 領域9,領域7合同 グラフェン,領域9(表面・界面,結晶成長))
-
24pRA-10 グラフェン端近傍の磁場中局所観察(24pRA 領域7,領域4合同 グラフェン,領域7(分子性固体・有機導体))
-
23aL-11 二層量子ホール系におけるサイクロトロン共鳴の単一モード近似による解析
-
24sD-11 二層量子ホール系におけるサイクロトロン共鳴
-
26p-YG-11 量子ホール系の光ルミネッセンスにおける隠れた対称性の破れ
-
26p-YG-11 量子ホール系の光ルミネッセンスにおける隠れた対称性の破れ
-
30p-Q-9 量子ホール効果領域でのスピン分裂サイクロトロン共鳴における単一モード近似の破れ
-
30p-Q-9 量子ホール効果領域でのスピン分裂サイクロトロン共鳴における単一モード近似の破れ
-
1a-N-13 変調ドーブ量子井戸の発光エネルギーの磁気振動 : 局在ホールとの再結合
-
量子細線の磁気抵抗 : 境界凹凸の効果
-
4a-C-9 量子細線における電流分布とホール抵抗
-
7p-PSA-45 二次元ハバード模型の超伝導相とSDW相のt'依存性
-
29p-PSB-2 変分モンテカルロ法による二次元ハバード模型の超伝導転移の研究II
-
変分モンテカルロ法による二次元ハバード模型の超伝導転移の研究
-
23pXL-7 量子ドットのコヒーレント伝導と熱電能(23pXL 量子ドット(理論II),領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
-
24aS-6 カーボンナノチューブと金属電極の接触と電気伝導
-
26aF-2 格子欠陥を持つナノチューブへの有効質量理論の応用
-
カーボンナノチューブの電気伝導
-
29a-XA-10 格子欠陥を持つカーボン・ナノチューブと有効質量方程式
-
29a-XA-9 格子欠陥を持つナノチューブの電気伝導に関する規則
-
25p-M-11 側面に穴を持つ円筒状ナノチューブの電気伝導
-
25p-M-9 カーボンナノチューブにおける不純物散乱の数値計算
-
31p-YX-2 カーボン・ナノチューブにおける不純物散乱
-
8p-D-7 磁場中のカーボンナノチューブ接合系における電気伝導II
-
強磁場下における半導体量子細線のエッジ状態II
-
量子細線の有効ポテンシャルと伝導現象
-
強磁場下における半導体量子細線のエッジ状態II
-
量子細線の有効ポテンシャルと伝導現象
-
強磁場下における半導体量子細線の電気伝導状態
-
27a-X-12 強磁場下における半導体量子細線の電気伝導状態
-
31a-N-7 強磁場下における半導体量子細線の閉じ込めポテンシャル
-
31a-N-7 強磁場下における半導体量子細線の閉じ込めポテンシャル
-
27a-P-12 半導体量子細線の電子状態の磁場変化
-
31a-Q-11 アンチドット格子の電気伝導における量子効果
-
26a-ZG-5 量子細線における電機伝導の摂動計算
-
30a-ZK-3 量子細線におけるコンダクタンス,局在,UCF
-
30p-TB-4 散乱行列の方法による量子細線のコンダクタンスゆらぎ
-
27PWB-3 ナノチューブの長波長格子変形に対する不安定性
-
26a-M-8 カーボンナノチューブにおける電子格子相互作用
-
3a-X-9 タイプ-II超格子における励起子分子
-
29a-YQ-6 非対称量子井戸におけるルミネッセンスエネルギーの磁場依存性
-
5a-F-4 単一ヘテロ接合におけるルミネッセンスエネルギーの磁場依存性
-
3a-YE-1 巨視的トンネル現象とゲージ依存性
-
28a-L-2 トンネル時間と帯電効果
-
12p-DF-5 トンネル時間とダイナミックイメージポテンシャル
-
量子ドットの電子状態と透過波の位相シフト
-
R. Saito, G. Dresselhaus and M. S. Dresselhaus, Physical Properties of Carbon Nanotubes, Imperial College Press, London, 1998, xii+259p., 22×15.5cm, \10,560 [学部・大学院向, 専門書]
-
25pTB-3 多層カーボンナノチューブにおける角度依存磁気抵抗の評価(25pTB ナノチューブ,領域7(分子性固体・有機導体))
-
23pL-2 一次元周期変調を受けた二次元電子ガスのウムクラップ散乱
-
29a-ZB-6 有限サイズスケーリングによるアンチドット格子における局在の研究
-
微小ジョセフソン接合二次元配列における電子状態
-
28p-M-1 超伝導電極に結合した量子ドットにおけるジョセフソン電流
-
29a-ZB-6 有限サイズスケーリングによるアンチドット格子における局在の研究
-
25p-YG-12 アンチドット格子におけるAB効果型振動と周期軌道の関係
-
25p-YG-12 アンチドット格子におけるAB効果型振動と周期軌道の関係
-
5a-J-7 アンチドット格子の電子状態
-
5a-J-7 アンチドット格子の電子状態
-
アンチドット格子の電気伝導における古典・量子クロスオーバ
-
アンチドット格子の電気伝導における古典・量子クロスオーバ
-
1a-E-3 アンチドット三角格子における電気伝導
-
21pTE-8 多層グラフェン境界における電気伝導(21pTE 領域7,領域4合同 グラフェン(伝導特性),領域7(分子性固体・有機導体))
-
21aTG-5 多層カーボンナノチューブにおける角度依存磁気抵抗の評価II(21aTG ナノチューブ1,領域7(分子性固体・有機導体))
-
31a-D-5 磁場中のカーボンナノチューブ接合系における電気伝導
-
アンチドット格子系におけるAAS振動
-
28a-X-8 アンチドット格子系におけるAAS振動
-
3p-F-7 Line Shape of the Photoluminescence Spectrum of Modulation-Doped Quantum Wells
-
25pCF-3 多層カーボンナノチューブにおける角度依存磁気抵抗の評価III(25pCF ナノチューブ(構造・物性),領域7(分子性固体・有機導体))
-
21aEC-10 MWNTの角度依存磁気抵抗と抵抗値温度依存性の関連性(21aEC ナノチューブ(構造・物性),領域7(分子性固体・有機導体))
-
21aEC-14 平らなカーボン・ナノチューブの有効質量理論と電子状態(21aEC ナノチューブ(構造・物性),領域7(分子性固体・有機導体))
-
26pXP-11 MWNTの角度依存磁気抵抗と抵抗値温度依存性の関連性II(26pXP ナノチューブ(構造・電子物性),領域7(分子性固体・有機導体))
-
30p-G-6 量子細線におけるホール効果(30pG 半導体シンポジウム:量子ホール効果の現状)
-
1a-E-3 アンチドット三角格子における電気伝導(1aE 半導体,低温合同(量子細線,メゾスコピック),低温)
-
31a-YA-8 強磁場下における半導体量子細線のエッジ状態(31aYA 半導体,低温合同(量子細線,メゾスコピック,バリスティック伝導),低温)
-
25pXN-10 2次元グラファイトの電気伝導率に対する弱局在補正(25pXN ナノチューブ・グラファイト関連(理論),領域7(分子性固体・有機導体分野))
-
1a-D2-13 Theory of band gap narrowing in modulation-doped quantum wells
もっと見る
閉じる
スポンサーリンク