Dielectric Constants of Ge, Sn, and Isoelectronic Semiconductors
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概要
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Static dielectric constants of Ge, Sn, and isoelectronic semiconductors are calculated by using the full f-sum rule including all possible transitions of d band electrons. The d band effect on the dielectric constant is expressed by using a newly defined D factor different from the empirical D factor introduced by Van Vechten. The new D factor is directly expressed in terms of the average band gap, the energy of the d band, and the coupling oscillator strength between valence and d bands so that it has a well defined meaning in contrast to the empirical D factor. The calculated D values well reproduce the observed dielectric constant and the effective number of valence electrons which represents the excess deviation from the usual valence electron number.
- 社団法人日本物理学会の論文
- 1994-03-15
著者
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友寄 友造
琉球大・理
-
友寄 友造
琉球大理
-
Tomoyose Tomozo
Physics Department, Division of General Education, Ryukyu University
-
Tomoyose Tomozo
Physics Department General Education Division Ryukyu University
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