Nonlinear Effects on Vibrational Energy Transfer on Si(001)/H Surfaces
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
Tlae x'ibrationsxl energ3z trarns['er f'ronaa a single 81-II botad 011 sexveral Si(001) /II strrfaces is sttrdiedby 21 trsttasf'er;t].c1e tiglat-l,?itudirag l11OlCCU1J2lF d3'zaztttaic,s ?taetlaod. TJue auuh?ar'?tnonic terans in the)cotetati?xl energ3z ;tre f'otrtad to Toe crtrcial irt flue xxibratiot?al energy tr';rrasfer process, xvhich f'airlydepetads 011 flue strrf'ace strttctttre. Ota tlae 81(001)/H(3x1) strrface the excited stretcluing etaergyis ['otrnd to be Iocatlized ztrotrtud the stiramtrlsrted 81-II Joozad. Oza the otJuer laand, 011 the (lxl)sttrface. tlae vibrartioraal etaergy cara propagate e?rsi1y viar the H-H netxvor'k in tlae laterstl direction.
- 社団法人日本物理学会の論文
- 1999-10-15
著者
-
塚田 捷
東北大学原子分子材料科学高等研究機構
-
塚田 捷
東京大学理学部
-
塚田 捷
東京大学理学部物理学科
-
Tsukada Mineharu
Fujitsu Laboratories Inorganic Materials & Polymers Laboratory
-
TAGAMI Katsunori
Department of Nanoscience and Nanoengineering, Graduate School of Science and Engineering, Waseda Un
-
TSUKUDA Masaru
Department of Physics,Graduate School of Science,University of Tokyo
-
Tagami K
Tokyo Inst. Of Technol. Kanagawa Jpn
-
Tagami Katsunori
Department Of Molecular Engineering Graduate School Of Bioscience And Biotechnology Tokyo Institute
-
Tsukuda Masaru
Department Of Physics Faculty Of Science University Of Tokyo
-
Tsukada Masaru
Department of Nano-Science and Nano-Engineering, Waseda University, 513 Waseda Tsurumaki-cho, Shinjuku-ku, Tokyo 162-0041, Japan
関連論文
- IUVSTA Scientific and Technical Divisions (STD) の報告
- 21aPS-46 グラファイト基板に吸着したタンパクのAFMシミュレーションI(領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 19aXF-5 グラファイト表面上グラファイトフレークのダイヤモンド探針によるAFMシミュレーション(表面・界面ダイナミクス(金属表面・理論),領域9(表面・界面,結晶成長))
- 15pWF-3 グラファイト端の走査トンネル分光(グラファイト, 領域 7)
- 30aWP-3 超低温走査トンネル分光法によるグラファイト表面のランダウ準位観測(ナノ構造量子物性)(領域9)
- STMシミュレータの開発(シミュレーション・エミュレーション,「ハイパフォーマンスコンピューティングとアーキテクチャの評価」に関する北海道ワークショップ(HOKKE-2007))
- STMシミュレータの開発(シミュレーション・エミュレーション,「ハイパフォーマンスコンピューティングとアーキテクチャの評価」に関する北海道ワークショップ(HOKKE-2007))
- STMシミュレータの並列化(科学技術計算,「ハイパフォーマンスコンピューティングとアーキテクチャの評価」に関する北海道ワークショップ(HOKKE-2006))
- STMシミュレータの並列化(科学技術計算, 「ハイパフォーマンスコンピューティングとアーキテクチャの評価」に関する北海道ワークショップ(HOKKE-2006))
- 科学技術計算専用ロジック組込み型プラットフォーム・アーキテクチャ技術をもちいた化学計算専用計算機の開発 : 概要と成果
- 原子スケールの摩擦を見る(摩擦の物理,研究会報告)
- はじめに (〈超伝導接合の物理と応用〉特集号) -- (はじめに--超伝導接合の物理)
- 2000-HPC-82-1 科学技術計算専用ロジック組み込み型プラットフォーム・アーキテクチャの開発 : プロジェクト全体像
- 30pYQ-2 Si(111)-√×√-Ag非対称構造表面の非接触AFM像の第一原理シミュレーション
- 27pYQ-4 Si(111)√×√-Ag再構成表面の相転移とデバイワラー因子
- 24pPSA-18 Si(111)-√×√表面構造の対称性の破れに関するポテンシャル面
- 24pPSA-5 Si(111)√×√表面のDebye-Waller因子
- 24pW-14 Si(111)√3×√3-Ag表面の非接触AFM像の第一原理計算
- 28p-YR-3 Ag/Si(111)-√x√-Ag表面の構造と電子状態
- 走査プローブ顕微鏡による表面・界面の理論研究
- 表面バイオインタフェースの理論解析
- 分子エレクトロニクスの基盤技術(10)分子ナノデバイス新機能の理論的予言
- 20aPS-41 液中におけるマイカ表面のnc-AFM像シミュレーション(ポスターセッション,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 18aWH-7 AFM探針によるタンパク質GFPの圧縮と蛍光消失のシミュレーション(ナノ構造量子物性,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 28pPSB-48 マイカ基板上アルブミンのAFM探針による変形シミュレーション(28pPSB 領域12ポスターセッション(ソフトマター,化学物理,生物物理),領域12(ソフトマター物理,化学物理,生物物理))
- 24aPS-166 三角グラフェンにおける電圧誘起渦電流と永久電流の関係(表面・界面, 結晶成長,領域9(表面・界面, 結晶成長))
- 25aYL-3 ナノ構造体の電子状態における電子-分子振動カップリング効果の理論解析(導電性高分子, 分子デバイス,領域7(分子性固体・有機導体))
- 15aPS-37 Au(111) に吸着したアルカンのスイッチング(領域 9)
- ナノ構造のコンダクタンスの理論
- 27pPSA-55 有機ラジカル分子架橋系の量子輸送(領域9ポスターセッション)(領域9)
- 20pYE-9 グリーン関数による単分子の電気伝導の第一原理計算
- 20aPS-77 テープポルフィリン及ビベンゾチオフェンらせん分子の量子輸送
- 20aPS-76 3 端子分子架橋系の量子輸送
- ポルフィリン分子架橋系の量子輸送の理論予測
- 28pPSB-62 ポルフィリン分子ワイヤーの伝導と磁性
- 非接触原子間力顕微鏡の理論
- 序章 走査プローブ顕微鏡とは (走査プローブ顕微鏡で見る固体物理 特集号)
- 24pPSA-25 計算機シミュレーションによるDihydride-Si(001)表面の非接触原子間力顕微鏡像(ポスターセッション,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 22pPSA-96 Si(111)DAS構造の原子間力顕微鏡像のシミュレーション(領域9ポスターセッション,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 20pTG-2 強束縛近似による水素終端Si表面の原子間力顕微鏡像のシミュレーション(水素ダイナミクス,微粒子・クラスタ,表面磁性,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 26aYC-7 メチル終端Si表面のAFMシミュレーション(26aYC 表面界面構造,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 29pYB-4 メチル基不純物を含む水素終端Si表面のAFMシミュレーション(29pYB 表面界面構造,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 21aPS-45 DFTB法による有機分子/Si表面のSPMシミュレーション(領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 30aYE-6 リカージョン伝達行列法による電界放射の第一原理計算(表面界面電子物性(金属・有機))(領域9)
- 1p-YE-5 原子架橋のコンダクタンスの理論計算
- Si(001)表面上の水のプロトンリレー型解離吸着
- 24pY-9 Si(001)表面における水分子のダイナミクス
- 31a-S-9 Si(001)修飾面における水分子の移動と解離吸着
- 26p-YM-5 Si(001)清浄表面における水の協調的相互作用
- 2p-YD-5 Si(001)清浄表面での水の吸着状態の第一原理計算
- 研究紹介
- Band Structures of Periodic Carbon Nanotube Junctions and Their Symmetries Analyzed by the Effective Mass Approximation
- 24pPSA-1 Ge(001)表面のダイマー構造の時間分解シミュレーション
- 18pWD-2 理論 : 伝導に対する固体物理からのアプローチ
- 23aTD-1 ナノ接合の量子化コンダクタンスの理論
- 23aTD-1 ナノ接合の量子化コンダクタンスの理論
- 24pZN-7 非接触原子間力顕微鏡の理論的課題
- 25p-YM-2 電界放射顕微鏡の微視的理論
- 2p-YD-4 電子状態計算に基づく電界放射顕微鏡の理論
- サロン 日米ナノテクノロジー若手研究者交流プログラムに参加して
- 25p-B-9 偶数員環鎖上の平坦バンド強磁性
- 25pYF-13 一次元電極に接続されたフラーレンの内部電流
- 29pZP-16 ナノチューブトーラス中の常磁性永久電流(ナノチューブ(伝導特性・磁性))(領域7)
- 分子架橋系およびナノチューブ系の量子伝導
- 27pWB-7 金属ナノチューブ・半導体ナノチューブ接合の電圧・電流特性
- 25aYF-3 ナノチューブ接合系の整流作用
- 25pF-12 ナノチューブ接合系の量子輸送
- 29a-XA-8 ナノチューブ接合系の透過率と波動関数
- 25p-M-13 ナノチューブ多重接合系のバンド間の縮退と反発
- 2p-YD-6 表面吸着分子を経由する電流
- 31p-YX-3 ナノチューブ多重接合系の電子波透過率とバンド構造
- 30a-YF-13 水素終端シリコン(100)2X1表面上の原子細線の電子状態II
- Temperature Dependence of Piezoelectric Constant of 0.5PbNi_Nb_O_3-0.5Pb(Zr, Ti)O_3 Ceramics in the Vicinity of Morphotropie Phase Boundary
- 30aPS-46 有機分子AFM像の原子分解能に関するシミュレーション(30aPS 領域9ポスターセッション(表面,界面,結晶成長),領域9(表面・界面,結晶成長))
- 非接触原子間力顕微鏡における摩擦の物理
- 動的モード原子間力顕微鏡に現れる非保存的過程
- 原子スケール摩擦のシミュレーション解析
- 原子スケール摩擦の素過程の理論
- 20aWD-7 動的表面における探針高さと温度の効果
- 24pZA-3 原子スケールの摩擦 : 摩擦力顕微鏡
- 25pTA-14 AFM探針が誘起するSi(111)√×√表面の非対称構造転移 : 相互作用力と非接触AFM像の第一原理計算
- 24pZA-3 原子スケールの摩擦 : 摩擦力顕微鏡
- 5 原子間力顕微鏡における微視的凝着の理論(固体間凝着現象)
- リレーコロキウム 摩擦の物理 原子スケールの摩擦--摩擦力顕微鏡
- 走査プローブ顕微鏡の理論 -その現状と新展開-
- 28p-Q-2 非接触AFMの画像化機構
- 摩擦力顕微鏡の物理 -ナノトライボロジーのメカニクス-
- 摩擦力顕微鏡像に現れるマイクロトライボロジー機構
- 30a-YF-1 動的モード原子間力顕微鏡の力検出機構の理論解析
- 原子マニピュレーションと原子コンタクト
- 31a-PS-19 Si(001)表面におけるアセチレン分子の反応素過程の第一原理計算
- Model Potential for the Dimer System on the Si(001) Surface Improved by a First-Principles Calculation and Structural Fluctuation Studied by a Monte Carlo Simulation(Condensed Matter : Structure, Mechanical and Thermal Properties)
- Model Potential for the Dimer System on the Si(001) Surface Improved by a First-Principles Calculation and Structural Fluctuation Studied by a Monte Carlo Simulation
- 28pYQ-4 原子細線の伝導チャネル
- 25aTA-8 金属原子細線の電気伝導
- 30p-Q-4 原子架橋の電気伝導の第一原理計算
- 25p-YM-5 原子架橋の透過チャンネルの理論計算
- 24pY-4 Si(001)-C_2H_2科学吸着表面における残されたシリコンダイマーの役割
- 29a-PS-22 C2H2分子吸着Si(001)表面への原子状水素共吸着
- 26p-YM-4 アセチレン分子吸着Si(001)表面の第一原理計算