24aN-11 コロイド法によるZn_<1-x>Cd_xS混晶超微粒子の作製と光照射効果
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
- 社団法人日本物理学会の論文
- 2000-03-10
著者
関連論文
- 3a-X-10 (n11)面方位InGaAs/GaAs歪量子井戸の光学遷移に対する圧電効果
- 28p-F-5 ミニバンド分散を有するGaAs/AlAs超格子のフォトリフレクタンス特性
- 14a-DC-18 層状結晶CdI_2/BiI_3系における種々の閉じ込められた励起子
- 17aRE-14 Biにおけるコヒーレントフォノン : 高密度励起下の非調和効果
- 26aYB-18 スペクトル分解ポンプ・プロープ法によるn-GaAs中のLO Phonon-Plasmon結合モードの研究
- 25pD-11 GaAs/AlAs超格子の発光特性におけるサブバンド間散乱効果
- 29p-ZE-9 GaAs/AlAs二重量子井戸超格子におけるサブバンド間共鳴
- 27p-YN-14 GaAs/AlAsタイプ-I超格子において電場により誘起されるΓ-X交差
- 2p-YH-6 GaAs/AlGaAs超格子のポテンシャル障壁上ミニバンド状態におけるフランツ・ケルディッシュ振動
- 極薄膜障壁層を有するGaAs/AlAs超格子のミニバンド構造(第42回 物性若手夏の学校(1997年度))
- 半導体超格子の多重ミニバンド構造に対する電場効果(第42回 物性若手夏の学校(1997年度))
- 5p-E-14 GaAs/InAlAsタイプ : I超格子におけるタイプ : II発光の出現
- 5p-E-12 GaAs/AlAs タイプ : II超格子におけるX電子共鳴
- 31a-R-7 GaAs/AlAs Type-II超格子における発光特性の電場依存性
- 極薄膜障壁層を有するGaAs/AlAs超格子のミニバンド構造
- 27aYC-8 層状半導体微結晶中励起子の高密度化と格子緩和過程
- 28p-YP-8 Hot-Wall法による層状物質BiI_3の薄膜、微結晶の作成とその光学特性
- BiI_3、SbI_3系ナノ構造の励起子遷移と励起子-格子相互作用
- 27a-Z-8 層状結晶Cdl_2/Bil_3系における種々の閉じ込められた励起子 III
- 31p-YN-8 層状結晶CdI_2/BiI_3系における種々の閉じ込められた励起子II
- 25a-ZE-9 CdI_2マトリックスのBiI_3の光スペクトル
- 25aC-9 GaInNAs/GaAsタイプ-II量子井戸構造における発光特性
- 30p-ZE-15 GaInNAs/GaAs量子井戸の光学特性(II)
- 27a-YN-13 GaInNAs/GaAs量子井戸の光学特性
- 5p-E-13 In_Ga_As/GaAs歪量子井戸におけるタイプ : II軽い正孔励起子
- 31a-R-6 (lln)面方位InGaAs/GaAs歪量子井戸における光変調反射特性
- 真空蒸着法により結晶成長したCuCl-CuBr混晶薄膜の励起子スペクトル
- シンチレーションと自己束縛励起子--アルカリハライド・シンチレータを中心として
- 17aRF-5 CsI:X(X=Li,Na,K,Rb)薄膜のシンチレーション特性
- 23pXD-3 BGOシンチレータの発光機構
- 23pXD-2 CsI:Na シンチレータにおけるNa発光機構
- 24aN-11 コロイド法によるZn_Cd_xS混晶超微粒子の作製と光照射効果
- 24aN-10 コロイド法による半導体超微粒子作製における光照射効果II
- 24aM-4 Gd_2(SiO_4)O:Ceシンチレータの発光機構
- 23pN-11 真空蒸着CuI-CuBr混晶薄膜の励起子エネルギー
- 23aN-18 GaSb/AlSb超格子におけるコヒーレントLOフォノンの研究
- 22aM-20 CuI薄膜における励起子-励起子散乱による発光II
- 24aL-12 GaAs/AlAsタイプ-II超格子の光電流-電圧特性と発光特性に対するサブバンド共鳴効果
- 24aL-9 GaAs/AlAsタイプ-I超格子における強励起条件での発光特性
- 27aYC-4 コロイド法による半導体超微粒子作製による光照射効果
- 26pYC-5 CuI薄膜における励起子-励起子散乱による発光
- 25aC-10 GaAs/AlAsタイプ-II超格子におけるタイプ-I電子・正孔プラズマ発光
- 31p-ZH-6 GaAs/AlAsタイプ-II超格子における高密度励起状態の発光特性(III)
- 30p-ZH-13 CsI薄膜シンチレータの光学特性
- 30p-ZH-12 真空蒸着CuI薄膜結晶における重い正孔励起子と軽い正孔励起子の発光特性
- 29a-ZH-10 Gd_2(SiO_4)OにおけるGd^の4f-4f内殻遷移による励起子の動的挙動
- 真空蒸着法により作成したCsI-RbI混晶の結晶性と光学特性
- 28p-YP-7 エピタキシー効果によるCuI薄膜の結晶構造転移
- 31a-YG-8 真空蒸着CuI薄膜の結晶構造と光学特性
- p-3 真空蒸着CuCl-CuBr混晶薄膜における高密度励起状態の発光特性(第43回物性若手夏の学校(1998年度),講義ノート)
- 27a-YM-7 真空蒸着CuCl薄膜における束縛励起子分子発光
- 27a-YM-6 GaAs/AlAsタイプ-II超格子における高密度励起状態の発光特性(II)
- 2p-YM-1 真空蒸着CuCl-CuBr混晶薄膜における高密度励起状態の発光特性
- CuBr薄膜における強励起状態の発光特性(第42回 物性若手夏の学校(1997年度))
- 8a-J-10 真空蒸着CuCl薄膜の高励起密度状態における発光特性
- 30p-YB-13 CuBr薄膜における強励起状態の発光特性
- 2a-YH-11 GaAs/AlAs、GaAs/AlGaAs超格子におけるL点近傍の量子状態
- 5p-E-16 GaAs/Al_xGaAs超格子のE_0、E_1およびE_2遷移エネルギー領域での光変調反射特性
- 31a-R-5 GaAs/AlAs超格子におけるL点近傍の量子状態
- 3a-X-17 ジクロロアントラセン微結晶の発光
- 2a-YH-10 GaAs/AlAsタイプ-II超格子の高密度励起状態における発光特性
- InGaAs/GaAs歪み量子井戸における軽い正孔励起子束縛エネルギーのバントオフセット依存性
- 3a-X-7 GaAs/AlAs量子井戸構造におけるタイプ-I、タイプ-II励起子束縛エネルギーの計算
- p-4 GSOシンチレーターの光学特性(第43回物性若手夏の学校(1998年度),講義ノート)
- 真空蒸着法によるI-VII族結晶のエピタキシーと薄膜の励起子光物性
- I-VII族結晶のエピタキシーと励起子光物性
- 2p-YK-10 KBr:Iのシンチレータとしての光学特性
- GaAs/AlAsタイプ-II超格子における励起子分子形成(III)
- 3a-X-8 GaAs/AlAsタイプ-II超格子における励起子分子形成(II)
- 3a-Z-6 Csl結晶における自己束縛励起子発光の静水圧効果II
- 3a-Z-7 KI における n=2 自由励起子の緩和
- 19pRG-7 コロイド法により作製したPbS超微粒子の光学特性
- 18aPS-24 コロイド法により作製したCdS超微粒子の発光特性に及ぼす表面改質効果
- 27aYG-10 均一サイズのCdS超微粒子作製と光学特性II
- 28a-YE-7 CuCl/CuBr多層薄膜の結晶成長と吸収・発光特性
- 23pXC-10 均一サイズのCdS超微粒子作製と光学特性
- タイトル無し
- 28a-J-7 アルカリ沃化物におけるSTE発光の一軸性応力依存性(28aJ イオン結晶・光物性(局在中心,緩和励起子))
- 27pYD-5 BGOシンチレータの発光特性におけるEu^添加効果(27pYD 緩和励起子・局在中心,領域5(光物性分野))