イネの光合成器官の微細構造と機能に関する研究 : 第2報 イネの色素体の初期発達に及ぼす低温の影響
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概要
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イネの色素体の初期発達に及ぼす低温の影響を, 低温抵抗性の異なる3品種を用いて, 特に "弱光プロラメラボディ(w-PLB)"の形成に注目して研究した. イネの色素体が発達する間に, 低温抵抗性と密接に関連した3つの顕著な変化が認められた. すなわち, プロラメラボディ (PLBs)を含めた色素体の膜系の変化, プラス卜顆粒の増加, および, デンプン粒の急速な消失である. 1. IR8を20℃, 光強度5.5w/m^2の条件下で培養するとき, PLBsは色素体の発達初期に消失し, その後, PLBsが再形成されることはなかった. しかるに, ホウネジワセの色素体では, 色素体の発達と共にw-PLBsの数が増加した. 坊主では, w-PLBsを含む色素体が観察した色素体の 96%に達した. しかし, IR 8を26℃, 5.5 w/m^2で培養すると, 20℃, w/m^2で培養したホウネンワセと同程度の w-PLBs を形成した. 20℃, 5.5w/m^2の条件下では, 低温抵抗性が大きいほど, wr-PLBsの形成が容易であった. したがって, w-PLBsの形成が低温抵抗性のレベルを判定する1つの指標として用いられるかもしれない. 2. IR8の色素体内のデンブン粒は, 色素体の発達後期まで保持された. しかし, ホウネンワセと坊主では, 発達初期にデンブン粒は消失した. これは, 可溶性糖の低温障害に対する保護を示唆している. 3. IR 8の色素体では, 他の2品種と比較すると, より多くのプラス卜顆粒が蓄積された. これはPLBs からチラコイド膜への発達が, 低温によって阻害された結果を示している.
- 日本作物学会の論文
- 1987-12-05
著者
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