MEMS 素子のウエハレベル 3 次元積層技術

概要

論文の詳細を見る
21世紀はマルチメディア機器が広く一般に使われる高度情報化社会になると思われている。このような高度情報化社会の実現を支える基盤技術の1つはMEMS(Micro Electro Mechanical Systems)の集積化である。すなわち, 電子システムインテグレーションという新しい概念で, Si基板をベースに電子回路だけではなく, センサやアクチュエータなどが混在一体となった素子の実用化である。今日のMEMSでは信号遅延と発熱を抑える問題がクローズアップされ, 低抵抗Cuの埋め込み配線(Damascene)や低誘電率層間絶縁膜, 配線を極小化する3次元実装などの検討が精力的に行われている。ウエハレベル3次元実装での問題は, 積層時の層間配線である。これまでの積層基板では貫通電極上にインナバンプを設けて, そのバンプで結線していた。しかし, バンプ形成時にその高さを均一に作ることは困難で, 研磨して高さを揃えているのが現状である。この問題を解決するために, 基板を数枚3次元方向に積層した後, 基板間を溶融金属吸引方式で配線する技術を開発し, バンプレスでの結線に成功したので紹介する。
社団法人エレクトロニクス実装学会の論文
2001-07-01