3V17 強誘電性液晶のらせんピッチの異常 : SmA-C^*転移点近傍での大きな電場効果
スポンサーリンク
概要
著者
-
佐藤 譲
セイコーエプソン
-
近藤 克己
東工大・有機材料
-
佐藤 譲
東工大・有機材料
-
竹添 秀男
東工大・有機材料
-
福田 敦夫
東工大・有機材料
-
久世 栄一
東工大・有機材料
-
近藤 克己
東工大有機材料
-
久世 栄一
東工大有機材料
関連論文
- 3F317 反強誘電性液晶における相転移前駆現象
- 強誘電性液晶の配向とその応用
- 3B115 通電配向処理を施した強誘電性液晶素子の電気光学特性
- 1連F16 強誘電性液晶のコントラスト比と配向に及ぼすAC電圧の影響
- 2N06 強誘電性液晶を用いたディスプレイの視角特性
- 14A18 強誘電性液晶のしきい特性
- 4V22 室温強誘電性液晶のピッチとティルト角の測定
- 3V18 強誘電性液晶のスイッチング
- 3V17 強誘電性液晶の磁場配向モノドメインセル(2) : スイッチング素子用薄膜セル
- 3V17 強誘電性液晶のらせんピッチの異常 : SmA-C^*転移点近傍での大きな電場効果
- 4U07 電場によるカイラルスメクチック液晶のらせんピッチの変化に及ぼす壁面効果
- 1Q18 強誘電性液晶の磁場配向モノドメインセル
- 1Q17 強誘電性液晶の磁場配向モノドメインセルによるラセン・ピッチの温度変化測定
- 28a-B-5 SmC^*相におけるラセン・ピッチの温度依存性
- 2Q06 強誘電性液晶DOBAMBCの電気光学効果(3)
- 2J15 強誘電性液晶薄膜セルのスイッチング特性
- 2J14 三角波を用いた強誘電性液晶の自発分極測定
- 21pXA-6 全電子混合基底法によるシリコン自己格子間原子と原子空孔の XPS スペクトルの予想
- 17pTG-15 全電子混合基底法によるシリコン自己格子間原子のXPSスペクトルの予想
- 1J19 レーリー光散乱によるnCBネマチック液晶の粘性係数測定
- 3W08 MBBAの周波数スペクトルの角度依存性
- 3W06 ネマチック液晶の散乱光の偏光成分のホモダイン測定
- 3W04 nCB,MBBAの弾性定数比K_とK_の温度依存性
- 3W03 8CBの6つのLeslieの粘性係数
- 3W02 MBBAとnCB(n=5〜8)のスプレー,ツイストとベンド粘性の温度依存性
- 30p-K-4 ネマチック液晶におけるレーリ散乱[II] : ダイレクターの決定
- 4U09 レーリー光散乱パターンの観測によるチルト角の決定(2)
- 2p-NE-5 ネマチック液晶におけるレーリ散乱
- 液晶(固体物理への招待)
- 2Q11 ネマチック液晶における光散乱強度の空間分布
- 3a-N-11 等方相ネマティック液晶におけるコトン・マウトン定数の温度依存性
- 2a-N-13 ポリアセチレン厚膜の光起電力および光電導
- 2p GC-8 ポリアセチレンにおける電気伝導度の静水圧依存性
- 1J16 SmA-Sm C^*転移点近傍におけるダイレクターのゆらぎ
- 4V21 強誘電性液晶の特性反射によるラセンピッチの測定
- 30p-K-6 強誘電性液晶のSmA-C^*転移点近傍での顕微鏡観察
- 30p-S-5 カイラルスメクチック液晶のらせん軸に垂直な光の伝播
- 30a-N-5 強誘電性液晶のモノドメイン製作とらせん構造
- ストレス・プレ-ト・モジュレ-タの原理と応用
- 4V20 コレステリック液晶中を伝播する固有偏光の楕円率
- 4V19 コレステリック液晶における特性反射と全反射
- 30p-K-5 コレステリック液晶中を伝播する光の固有モード[II] : 固有値の数値計算
- 3V13 コレステリック液晶の固有偏光解析
- 2p-NE-6 コレステリック液晶中を伝播する光の固有モード(I)
- 3V06 コレステリック液晶のピッチに対する圧力の効果
- 14A21 ビデオによる強誘電性液晶薄膜セルのスイッチング過程の観察
- 2N07 温度勾配法によるSmC^*液晶の配向制御 : Iso.-SmC^*,N^*-SmC^*転移を有する場合
- 2J25 コレステリック液晶の反射スペクトル : (3) 吸収帯の影響
- 2J24 コレステリック液晶の反射スペクトル : (2)高次の特性反射
- 2J23 コレステリック液晶の反射スペクトル : (1)振動構造およびそのうなり,うねり構造
- 2J22 コレステリック液晶中を伝播する光の固有モード(2) : E,D,H,の楕円率
- 2J21 半無限コレステリック液晶の境界面における光の反射
- 29a-G-4 コレステリック液晶の斜入射反射スペクトル
- 回折パタ-ン空間スペクトル解析による織物欠点の検出
- 12a-Q-11 トランスポリアセチレンのヘテロ接合における光起電力
- 14p-Q-5 強制レーリー散乱法による液晶の拡散定数測定
- 14p-Q-3 コレステリック液晶における光散乱
- 1J22 光散乱によるnCBの弾性定数比K_1/K_2,K_3/K_2の決定
- 1J21 強制レーリー散乱による液晶の自己拡散定数測定
- 1J20 レーリー光散乱によるEBMBAの粘性係数・弾性係数の測定
- 1J18 16ビットマイクロコンピューターを用いたコリレータシステム
- 30a-G-3 基礎吸収より低エネルギー側で観測されるトランス・ポリアセチレンの光電導
- 29a-G-5 コレステリック液晶における発光寿命
- 強誘電性液晶高速表示素子 (最近の高機能表示材料とその実用)
- 1-6a ^F-NMRを用いた分子構造に関する知見と反強誘電相の発現との関係
- 13B04 強制レーリー散乱による並進拡散定数測定における回転拡散の影響
- 4V06 Eu^等の発光に対する液晶のねじれ構造の影響
- 3AB05 専用計算機を用いた電界印加時における高分子-液晶界面の大規模分子動力学シミュレーション
- ストレス・プレート・モジュレータの原理と応用
- 25pPSB-34 全電子混合基底法によるSi2p levelとSi/SiO_2界面構造の関係性(25pPSB 表面界面・結晶成長,領域9(表面・界面,結晶成長分野))