RuO_2/CB厚膜抵抗体の導電機構と特性
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概要
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最近,低いインピーダンスが電子回路に採用される傾向にあり,厚膜抵抗器にも優れた特性の低い抵抗値が求められている。樹脂系厚膜抵抗体ではCB(カーボンブラック)が主要な導電粒子として使用されてきたが,CB分率を増加して低い抵抗値を得ようとすると,CBの持つ負のTCRにより,負のTCRの抵抗体が得られる。一方,ガラス系厚膜抵抗体に採用されているRuO_2粒子は正のTCRを持っており,かつ,その電気抵抗率はCB粒子より4桁ほど小さい。ここでは,CB粒子とRuO_2粒子を適切な分率で混合することでゼロのTCRを持つ低いシート低抗率が得られること,周波数特性や電流雑音の発生要因などを分析,検討した。
- 2004-05-01
著者
-
樋口 千明
田中貴金属工業(株)
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金子 郁夫
武蔵工業大学
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金子 郁夫
武蔵工業大学工学部電子通信工学科
-
ザキ アハマド
武蔵工業大学工学部電子通信工学科
-
樋口 千明
田中貴金属工業株式会社商品開発セクション
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