高純度スパッタリングのための基礎的研究
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概要
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This paper describes a basic experiment to fabricate the high purity sputtered film of a metal and an insulator. The improved triode sputtering system, which was used in this experiment, sustained a dc Argon discharge even at a low gas pressure of 1×10^<-5> torr. Several basic parameters such as the ion energy distribution and the ion current were measured as a function of the bias voltage, the electron injected current and the gas pressure. Futhermore, the sputtering of Si and the method to erase charged particles on the insulator film surface such as a SiO_2 were also tested.
- 山梨大学の論文
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- 2 指定討論者の発言 1 (記録 3 : 「知の中心・周縁関係を問う : 学問・大学・生涯学習の可能性」(シンポジウムの記録)) (「センター創設10周年記念フォーラム」の記録) (特別号)