電離層プラズマを用いた2つのRFプローブの比較実験
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概要
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新しく開発された改良型レゾナンスプローブを用いて電離圏E層の電子密度を測定した。この結果は,同時に搭載されたインピーダンスプローブと共に比較検討された.そして今迄のインピーダンスプローブのデータの測定結果はほぼ信頼できることと既にドップラー法との比較実験で指摘されているロケット電位の沈下による測定誤差の効果について確かめた.本論文では改良型レゾナンスプローブでの測定結果及びその特長について述べる.
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