パルス駆動大気圧マイクロプラズマによる化合物半導体GaN表面改質の基礎研究
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概要
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Surface treatment of GaN by pulsed atmospheric microplasma was experimentally investigated. Microplasma was generated with a pair of electrodes which covered with dielectric layer, at relatively low discharge voltage of around 1 kV, and advantage of reducing the power and downsizing the entire plasma system. Electrodes were faced each other with a spacer (thickness 100 um) in between. Streamers were generated between the electrodes, which generate various radicals and ions that could affect a target surface. Contact angles and an analysis by X-ray Photoelectron Spectroscopy (XPS) were measured before and after microplasma to refer GaN surface. Discharge voltage was -1.3 kV, frequency was 24 kHz, treatment time was 10s.
- The Institute of Electrical Engineers of Japanの論文
- 2012-03-01
著者
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成塚 重弥
名城大学 理工学部 材料機能工学科
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清水 一男
静岡大学 イノベーション共同研究センター
-
BLAJAN Marius
静岡大学 イノベーション共同研究センター
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野間 悠太
静岡大学 イノベーション共同研究センター
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