同位体選択的赤外多光子解離されたフロロシランからの同位体濃縮Si薄膜の作製
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概要
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Fabrication of isotopically enriched silicon thin film by plasma-enhanced chemical vapor deposition (PE-CVD) has been performed with source gas mixtures of SiF4, H2 and Ar. Enriched SiF4 gases with 30Si exceeding 25% were obtained from isotopically selective infrared multiphoton dissociation of hexafluorodisilane. The crystalline silicon films were successfully grown by a remote type microwave PE-CVD system on a quartz glass and Si wafers at substrate temperature of 623-1023 K. Secondary ion mass spectroscopy and energy-dispersive X-ray spectroscopy analyses indicated that the films had small impurity contents. The isotopic fraction of the grown Si film almost coincided with that of source gas.
- 日本真空協会の論文
- 2009-05-20
著者
-
大場 弘則
原子力機構
-
山本 博之
原子力機構
-
江坂 文孝
原子力機構
-
横山 淳
原子力機構
-
笹瀬 雅人
若狭湾エネ研
-
大場 弘則
日本原子力研究開発機構
-
山田 洋一
筑波大学大学院数理物質科学研究科
-
横山 淳
日本原子力研究開発機構
-
鈴木 裕
物材機構
-
田口 富嗣
原子力機構
-
山田 洋一
筑波大院
-
笹瀬 雅人
若狭湾エネルギー研究センター
-
江坂 文孝
日本原子力研究開発機構
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