結晶工学と今後のシリコンエレクトロニクス
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関連論文
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人材育成
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会長就任にあたって
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結晶工学と今後のシリコンエレクトロニクス
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大学と特許
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CI-3-3 Si微小共振器中Ge量子ドットによる発光素子の開発(CI-3.シリコンフォトニクスに関わるアクティブデバイス,依頼シンポジウム,シンポジウムセッション)
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アジア太平洋物理学会連合(AAPPS)定期総会(OGM)及び新理事会参加報告
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教育事業の再生
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角度分解硬X線光電子分光法によるHfO_2/Si/歪みGe/SiGe構造の評価(プロセス科学と新プロセス技術)
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応用物理学会からのメッセージ
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アジアヨーロッパ物理サミット2011(ASEPS 2011)参加報告
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25pCJ-3 スピン偏極したシリコン2次元電子系におけるサイクロトロン共鳴(25pCJ 量子ホール効果(整数量子ホール効果),領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
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第一原理計算によるGe表面でのドーパント表面偏析挙動の解析(ゲート絶縁薄膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
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18pFB-7 Ge/SiGe2次元ホール系におけるランダウ準位交差の観測(18pFB 量子ホール効果(整数量子ホール効果),領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
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Ge量子ドットを有するフリースタンディング構造Siマイクロリング共振器の作製とその光学特性の評価(光部品・電子デバイス実装技術・信頼性,及び一般)
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27aXQ-1 Ge/SiGe量子井戸におけるランダウ準位反交差と弱反局在効果の観測(27aXQ 量子ホール効果(整数量子ホール効果),領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
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29aXQ-3 ノンドープSi/SiGeウェハーを用いた横型ドット開発(29aXQ 量子ドット,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
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第一原理計算によるGe表面でのドーパント表面偏析挙動の解析
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Ge量子ドットを有するフリースタンディング構造Siマイクロリング共振器の作製とその光学特性の評価
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