ラマン散乱分光法によるシリコンのひずみ・応力評価
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概要
著者
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中島 信一
(独)産業技術総合研究所 パワーエレクトロニクス研究センター
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三谷 武志
(独)産業技術総合研究所, パワーエレクトロニクス研究センター
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中島 信一
産業技術総合研究所パワーエレクトロニクス研究センター
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三谷 武志
産業技術総合研究所パワーエレクトロニクス研究センター
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吉川 正信
(株)東レリサーチセンター構造化学研究部
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吉川 正信
(株)東レリサーチセンター
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三谷 武志
(独)産業技術総合研究所 パワーエレクトロニクス研究センター
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中島 信一
産業技術総合研究所
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