Cl系-Si系混合ガスを用いたエピ前低温表面処理法の検討

スポンサーリンク

概要

• 論文の詳細を見る
• 2006-10-03

著者

• 王 杰

  日立国際電気

• 井ノ口 泰啓

  日立国際電気

• 山本 克彦

  日立国際電気

• 森谷 敦

  日立国際電気

• 橋場 祥晶

  日立国際電気

• 国井 泰夫

  日立国際電気

関連論文

• Cl系-Si系混合ガスを用いたエピ前低温表面処理法の検討
• 縦型バッチEpi成膜技術
• サブ100nm時代のデバイスに向けた縦形成膜装置--縦形SiGeエピタキシアル成長装置 (特集 最先端半導体デバイスの生産を実現するベストソリューション)
• 技術論文 縦型Epi-SiGe装置の開発

スポンサーリンク