重希土類系RE123溶融凝固バルクの超伝導特性に及ぼす育成雰囲気制御効果
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
- 2006-05-15
著者
-
堀井 滋
高知工大環理工
-
石井 悠衣
東大院工
-
下山 淳一
東大院工
-
岸尾 光二
東大院工
-
堀井 滋
東大院工
-
中島 隆芳
住友電工
-
田崎 義昭
東京大学大学院 工学系研究科
-
中島 隆芳
東大院工
-
岸尾 光二
東大工:jst-trip
-
田崎 義昭
東大院工
関連論文
- 23aGH-10 圧力効果と鉄系超伝導体Sr_2VFeAsO_3の^As-NMR測定(23aGH Fe(Se,Te),新規物質等(置換効果,分光等),領域8(強相関系:高温超伝導,強相関f電子系など))
- 異なる成膜温度で作製したBaZrO_3添加Sm_Ba_Cu_3O_y薄膜の磁束ピンニング特性と微細構造観察
- BaZrO_3ナノロッド導入によるVLS-Sm_Ba_Cu_3O_y膜の超伝導特性向上
- Sm_Ba_Cu_3O_y膜におけるJ_c磁場印加角度依存性に与えるBaZrO_3の影響
- Premix-PICT 拡散法で作製したMgB_2超伝導バルク体の臨界電流特性に及ぼす微細組織の影響
- BaZrO_3ナノロッドを導入したSmBa_2Cu_3O_y薄膜における磁束ピンニング特性と微細構造観察
- REBa_2Cu_3O_超伝導薄膜中の1次元ナノロッドの成長に及ぼす成膜条件の効果
- c軸配向高密度MgB_2バルクの開発
- 希土類系高温超伝導体の磁気異方性と三軸磁場配向
- 磁気配向法によるc軸配向MgB_2バルクの作製
- 結晶成長方位を変えたY123バルクの特徴
- RE系超伝導体における金属不定比性と超伝導特性
- Ba/Sm-Zr-Oを添加したSmBa_2Cu_3O_薄膜の微細構造と磁束ピンニング特性
- RE123における点欠陥の要素ピニングカと不可逆磁場
- REBa_2Cu_3O_膜中ナノロッド形成におけるペロブスカイト構造 : 自己ペロブスカイト構造化
- MgB_2多結晶材料における結晶子サイズ
- 高密度MgB_2バルクにおける Connectivity の制御
- Introduction and control of Y_2O_3 nanoparticulate defects in YBa_2Cu_3O_ films
- RE123、Bi系超伝導体における最適キャリアドープ状態(2)
- Sm_2Zr_2O_7を添加したSmBa_2Cu_3O_薄膜の微細構造と磁束ピンニング特性
- 面状ピンニングセンターを導入したYBCO膜の微細構造が超伝導特性に及ぼす影響
- ErBa_2Cu_3O_薄膜中におけるBa(Er_Nb_)O_3ナノロッドの成長機構とピンニング効果
- 24aRH-7 水銀系高温超伝導体の固有ジョセフソン特性(24aRH 高温超伝導(STM,トンネル効果),領域8(強相関係:高温超伝導,強相関f電子系など))
- 23pWF-12 RE123とHg(Re)系超伝導体の固有接合(磁束量子系II(銅酸化物),領域8,強相関係:高温超伝導,強相関f電子系など)
- 大気中アニールによるBi(Pb)2223線材のT_cの上昇
- RE123, Bi系超伝導体における臨界温度の決定因子
- 不定比金属組成制御によるBi2223の高T_c化
- MgB_2多結晶バルク体の力学特性
- In-situ 法MgB_2線材への銀添加効果
- 銀添加円柱状RE123溶融凝固バルクの作製と捕捉磁場特性
- MgB_2多結晶体におけるX線ラインプロファイルの解釈
- 2次元APC導入Y123膜の電流輸送特性
- BaZrO_3添加ErBa_2Cu_3O_y膜におけるc軸相関ピンの影響
- 希薄REドープによるBi(Pb)2223の臨界電流特性の改善
- 微量Sr置換したRE123溶融凝固バルクの低温における高臨界電流特性
- RE123溶融凝固バルクの c-growth 領域の捕捉磁場特性
- ナフテン酸金属塩とオクチル酸金属塩の混合溶液を用いたMOD法により製作したRE123膜の臨界電流密度特性
- BaF_2含有前駆体薄膜の水蒸気を導入しないポストアニーリングよるGd123薄膜の高臨界電流密度特性
- BaZrO_3人工ドットを導入した(Nd,Eu,Gd)Ba_2Cu_3O_y薄膜の超伝導特性向上
- 異なる作製プロセスを用いたBaZrO_3添加Sm_Ba_Cu_3O_y薄膜の磁束ピンニング特性
- 高臨界電流密度を有するSm_Ba_Cu_3O_y厚膜におけるα軸配向相生成メカニズム
- 低温成膜法で作製した (Nd, Eu, Gd)_Ba_Cu_3O_y薄膜の磁場中超伝導特性
- 1次元ナノロッドの花火構造に関する一考察
- 微細組織観察によるナノロッドの成長機構の一考察
- 作製条件の違いによるナノロッド構造と超電導特性
- Flux pinning properties of BaMO_3-doped YBa_2Cu_3O_ thin films (M=Zr, Sn)
- X線小角散乱及び逆格子マッピングを用いたREBa_2Cu_3O_薄膜中の金ナノロッドの評価
- 人工ピンを導入したREBCO薄膜の磁束ピンニング特性
- ナノロッド形成におけるペロブスカイト構造の重要性
- ナノロッドを含んだ超電導膜の組織 : 高密度ナノロッドおよび厚膜化
- BaZrO_3ナノロッドを含む超電導膜の微細組織制御と超電導特性
- Critical current enhancements in YBa_2Cu_3O_ films incorporating nanoparticulate Y_2O_3 Artificial Pinning Centers
- 種々の次元性の人工ピンによる磁束量子のピン止め
- 構造を制御したBZOナノロッドを有する超電導膜の微細構造
- Enhanced in-field critical current densities in YSZ-mixed YBa_2Cu_3O_ films
- MgB_2超伝導体における残留磁化とコネクティビティ
- 磁気光学(MO)法と電磁気的測定によるMgB_2多結晶体内の電流制限機構の評価
- 磁気光学(MO)法によるMgB_2多結晶体内の超伝導電流阻害因子の評価
- ナノロッドを含むREBCO薄膜の磁束ピンニング特性
- BZOナノロッドを導入したErBCO薄膜の磁束ピンニング特性(2)
- BZOナノロッドを導入したErBCO薄膜の磁束ピンニング特性
- 高密度MgB_2バルクのTEM観察
- PLD-CeO_2/IBAD-YSZテープ上におけるSm_Ba_Cu_3O_y厚膜の高I_c化
- LTG法を用いて作製したSm_Ba_Cu_3O_y薄膜の配向性と成長様式
- 25aWH-3 ペロブスカイト層を含む鉄系超伝導体の高圧下電気抵抗測定とNMR測定(25aWH 鉄砒素系超伝導(圧力効果・磁場侵入長),領域8(強相関系:高温超伝導,強相関f電子系など))
- 微量元素置換によるRE123溶融凝固バルクのJ_c改善機構
- Y123の超伝導特性に対する本質的な銀添加効果(3) : RE/Ba固溶に及ぼす影響に関する考察
- Y123の超伝導特性に対する本質的な銀添加効果(2) : 銀置換量とその分布に関する考察
- RE123溶融凝固バルクの高臨界電流特性化に対する微量置換効果
- Dy123溶融凝固バルクの臨界電流特牲に対する共置換効果
- Y123の超伝導特性に対する本質的な銀添加効果
- 円柱状Dy123溶融凝固バルクの磁束ピンニング特性
- RE123溶融凝固バルク体の臨界電流特性に対する低濃度RE混合効果
- RE123溶融凝固バルクにおけるCuO鎖への微量元素置換効果
- 重希土類系RE123溶融凝固バルクの超伝導特性に及ぼす育成雰囲気制御効果
- 23pWG-8 La_Sr_xMnO_単結晶の結晶構造と磁気特性の過剰酸素量依存性(Mn酸化物,領域8,強相関係:高温超伝導,強相関f電子系など)
- 高密度MgB_2バルクの力学特性
- SmBa_2Cu_3O_y薄膜におけるBaZrO_3ナノロッドの成長機構に関する考察
- 24aZR-5 Hg(Re)Ba_2Ca_Cu_nO_y(n=2,3,4)の単結晶育成と臨界電流特性(24aZR 高温超伝導(輸送現象・光学応答2),領域8(強相関系:高温超伝導,強相関f電子系など))
- REBa_2Cu_3O_y超電導膜の磁場中J_c向上のための人工ピンの導入 : 不純物ナノロッドの微細構造と成長機構
- REBa_2Cu_3O_y超伝導薄膜の成長制御によるナノ組織と超伝導特性
- ナノサイズ低T_c相導入Sm_Ba_Cu_3O_y薄膜の低温高磁場超伝導特性
- Sm-rich 層を積層したSmBCO多層膜の磁場中超伝導特性
- 金属基板上Sm_BaCu_3O_y薄膜の表面形態と磁場中J_c特性
- 磁場配向法によるc軸配向MgB_2バルクの開発
- REBa_2Cu_3O_系線材とその高J_C化
- 低温・強磁場条件下におけるSmBa_2Cu_3O_y薄膜の磁束ピンニング特性
- 表面形状の異なる酸化物中間層上に作製したREBCO薄膜の超伝導特性
- 低温成膜法により作製したYBa_2Cu_3O_y薄膜の転位密度及び磁場中超伝導特性
- 希薄REドープによるBi系超伝導体の臨界電流特性の改善
- C添加高密度MgB_2バルクの作製と臨界電流特性
- 高密度MgB_2バルクの高臨界電流特性化
- RE123、Bi系超伝導体における最適キャリアドープ状態
- Bi系超伝導体におけるキャリア濃度と臨界電流特性の関係
- 不純物ドーピングを利用したErBa_2Cu_3O_y超伝導薄膜への人工ピン導入
- Bi(Pb)2223焼結体の高T_c化
- 23aZQ-8 不定比酸素量を制御したLa_Sr_xMnO_y単結晶の物性(23aZQ Mn系1,領域8(強相関系:高温超伝導,強相関f電子系など))
- 単一粒界を有するYBCO薄膜のJ_c制御因子
- 25pPSB-7 ペロブスカイト層を含む鉄系超伝導体の高圧下電気抵抗測定とNMR測定(25pPSB 領域8ポスターセッション(低温1(鉄砒素系・銅酸化物ほか)),領域8(強相関系:高温超伝導,強相関f電子系など))
- 22pPSA-16 ペロブスカイト層を含む鉄系超伝導体のCa_4(Mg,Ti)_3Fe_2As_2O_8(T_c>40K)のNMR測定(22pPSA 領域8ポスターセッション(低温II(鉄砒素系)),領域8(強相関系:高温超伝導,強相関f電子系など))