Molecular Beam Epitaxial Growth of GaAs on (631) Oriented Substrates
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概要
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- Japan Society of Applied Physicsの論文
- 2005-12-25
著者
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Lopez-lopez Maximo
Physics Department Centro De Investigacion Y De Estudios Avanzados Del Ipn
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CRUZ-HERNANDEZ Esteban
Physics Department, Centro de Investigacion y de Estudios Avanzados del IPN
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PULZARA-MORA Alvaro
Physics Department, Centro de Investigacion y de Estudios Avanzados del IPN
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RAMIREZ-ARENAS Francisco-Javier
Instituto de Investigacion en Comunicacion Optica, Universidad Autonoma de San Luis Potosi
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ROJAS-RAMIREZ Juan-Salvador
Physics Department, Centro de Investigacion y de Estudios Avanzados del IPN
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MENDEZ-GARCIA Victor-Hugo
Physics Department, Centro de Investigacion y de Estudios Avanzados del IPN
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Pulzara-mora Alvaro
Physics Department Centro De Investigacion Y De Estudios Avanzados Del Ipn
-
Cruz-hernandez Esteban
Physics Department Centro De Investigacion Y De Estudios Avanzados Del Ipn
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Mendez-garcia Victor-hugo
Physics Department Centro De Investigacion Y De Estudios Avanzados Del Ipn
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Rojas-ramirez Juan-salvador
Physics Department Centro De Investigacion Y De Estudios Avanzados Del Ipn
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Ramirez-arenas Francisco-javier
Instituto De Investigacion En Comunicacion Optica Universidad Autonoma De San Luis Potosi
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LOPEZ-LOPEZ Maximo
Physics Department, Centro de Investigacion y de Estudios Avanzados del IPN
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